Mosfet
Mateus Modesto, Gabriel Born, Diogines, Gabriel Jantzch, William Kennedy
TRANSISTORES MOSFET
São Leopoldo
2013
Tipos de MOSFET
- MOSFET – tipo DEPLEÇÃO
- MOSFET – tipo ENRIQUECIMENTO ( NÃO – DEPLEÇÃO)
PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO
O controle de corrente em MOSFET´s depleção, é feito pelo controle da largura do canal, através do potencial aplicado à porta do dispositivo. Será analisado inicialmente para o caso de um dispositivo com canal p.
Com aplicação de uma tensão positiva à porta do dispositivo, o canal será estreitado, reduzindo a corrente ID. Dessa forma, através do controle do potencial aplicado à porta, pode-se controlar a corrente no canal.
Em MOSFETs o terminal porta é isolado do canal, independentemente da polaridade dos terminais. Dessa forma, em MOSFETs depleção tipo p a aplicação de um potencial negativo à porta provoca um aumento na corrente ID, uma vez que nessa situação a região de depleção no interior do canal é diminuída substancialmente.
O MOSFET tipo enriquecimento é composto por duas regiões semicondutoras isoladas entre si pelo material semicondutor do substrato. Sobre esse conjunto estão depositadas uma camada de óxido isolante e uma camada metálica formadora da porta d.
MOSFET tipo enriquecimento, canal p com porta aterrada.
Aplicando- se um potencial negativo à porta do dispositivo, propicia a indução de cargas positivas na região do substrato, formando um canal de condução entre fonte e dreno, permitindo o fluxo de corrente ID.
CURVA CARACTERÍSTICA
A corrente ID depende diretamente do potencial aplicado à porta, uma vez que este é o fator determinante da quantidade de cargas induzidas no canal. As curvas características de saída de um dispositivo MOSFET tipo enriquecimento, canal p estão mostradas no gráfico.
Mosfet
O transistor MOSFET (acrônimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de efeito de campo de