Mosfet

MOSFET

Aluno : Guilherme Cassimiro de Jesus

Goiânia, 2011
Índice

1. MOSFET 15 1.1 MOSFET de Modo Depleção 15 1.2 MOSFET de Modo Crescimento ou Intensificação 16 1.3 Tensão Porta-Fonte Máxima 19
2. Conclusão 20
3. Referências Bibliográficas 21
1 MOSFET

O FET de óxido de semicondutor e metal, MOSFET, tem uma fonte, uma porta e um dreno. A diferença básica para o JFET é porta isolada eletricamente do canal. Por isso, a corrente de porta é extremamente pequena, para qualquer tensão positiva ou negativa.

MOSFET de Modo Depleção

As figuras abaixo mostram um MOSFET de modo depleção canal n e o seu símbolo. O substrato em geral é conectado a fonte (pelo fabricante), Em algumas aplicações usa-se o substrato para controlar também a corrente de dreno. Neste caso o encapsulamento tem quatro terminais. Os elétrons livres podem fluir da fonte para o dreno através do material n. A região p é chamada de substrato, e ela cria um estreitamento para a passagem dos elétrons livres da fonte ao dreno.
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A fina camada de dióxido de Silício (S1O2), que é isolante, impede a passagem de corrente da porta para o material n.
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A Figura acima mostra o MOSFET de modo depleção com uma tensão de porta negativa. A tensão VDD força os elétrons livres a fluir através do material n. Como no JFET a tensão de porta controla a largura do canal. Quanto mais negativa a tensão, menor a corrente de dreno. Até um momento que a camada de depleção fecha o canal e impede fluxo dos elétrons livres. Com VGS negativo o funcionamento é similar ao JFET. Como a porta está isolada