Mosfet

Sumário

Trabalho sobre MOSFET

MOSFET
Seu princípio básico foi proposto pela primeira vez por Julius Edgar Lilienfeld, em 1925.
O MOSFET ou simplesmente FET (MOS = metal-oxide semiconductor - metal óxido semicondutor e FET = field effect transistor - transistor de efeito de campo), é um tipo de transistor, componente usado como chave ou amplificador de sinais elétricos.

Aplicações:

-Rádios para automóveis;
-Aparelhos de áudio residenciais;
-Módulos, computadores;
-Caixas amplificadas;
-Entre outros aparelhos eletrônicos.

É o transistor mais comum emtre os transistores de efeito de campo em circuitos analógicos e digitais.É utilizado em conversores de baixa potência e alta frequência.

Vantagens em comparação ao transistor bipolar: -Impedância de entrada extremamente elevada, da ordem de 100 M
-Maior imunidade a ruído
-Maior estabilidade térmica
- Fabricação relativamente simples

Como desvantagens o FET apresenta menor velocidade de resposta e menor produto ganho xbanda passante (PGL).

Composição:

Um MOSFET é composto de um canal de material semicondutor (que geralmente é o silício, mas alguns fabricantes começaram a usar uma mistura de silício e germânio). O terminal de comporta é uma camada de polisilício (sílicio policristalino) colocada sobre o canal, mas separada deste por uma fina camada de dióxido de silício isolante. Um MOSFET é composto de um canal de material semicondutor de tipo N ou de tipo P e é chamado respectivamente de NMOSFET ou PMOSFET.

OBS: a camada de óxido que isola a comporta do substrato é extremamente fina e pode ser rompida por descargas estática. O simples toque dos dedos no terminal de um componente deste tipo pode provocar uma descarga estática que fura esta canmada e danifica o componente.

Características:

Existem MOSFETs em que pode-se integrar duas comportas, ou seja, pode-se controlar a corrente entre o dreno e a fonte a partir de dois sinais