Mosfet

6.3 MOSFET
Há dois tipos de FETs: JFETs e MOSFETs. Os MOSFETs subdividem-se em tipo depleção e tipo intensificação. Os termos depleção e intensificação definem os seus modos básicos de operação, enquanto que a expressão MOSFE's representa o transistor de efeito de campo metal óxido semicondutor (do inglês, metal-oxide-semiconductor:lield-effecttransistor).

6.3.1 MOSFET DEPLEÇÃO
Construção Básica

A construção básica do MOSFET tipo depleção de canal n é mostrada na Fig.6.3.1 Uma camada grossa de material tipo p é formada a partir de uma base de silício, e é chamada de substrato. Ela representa o alicerce sobre o qual o dispositivo será construído. Em alguns casos, o substrato está internamente conectado ao terminal de fonte. Entretanto, muitos dispositivos discretos oferecem um terminal adicional, denominado SS, resultando em um dispositivo com quatro terminais, como o que aparece na Fig.6.3.1. Os terminais de fonte e dreno são conectados por meio de contatos metálicos às regiões n-dopadas, ligadas entre si por um canal n como mostra a figura. A porta é conectada também à superfície metálica de contato, mas permanece isolada do canal n por uma camada muito fina de dióxido de silício (SiO2). O Si02 é um tipo particular de isolante, denominado dielétrico, que cria campos elétricos opostos (por esta razão o prefixo di-) quando submetido a um campo externo aplicado. O fato de a camada de Si02 representar uma camada isolante, revela o seguinte:
Não há conexão elétrica direta entre o terminal de porta e o canal de um MOSFET'.

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Além disso:
É a camada isolante de Si02 na construção do MOSFET a responsável pela desejável alta impedância de entrada do dispositivo.
Na verdade, a impedância de entrada de um MOSFET equivale normalmente a um JFET típico, ainda que a impedância de entrada da maioria dos JFETs seja bastante alta para grande parte das aplicações. A impedância de entrada extremamente alta contínua confirmando o fato de que a corrente de porta