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MOSFET
O transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transístor de efeito de campo metal - óxido – semicondutor) é, o tipo mais comum de transístor de efeito de campo usado em circuitos tanto digitais quanto analógicos, como chave e amplificador.
Seu princípio básico foi proposto pela primeira vez por Julius Edgar Lilienfeld, em 1925.
Estrutura do MOSFET
O MOSFET possui normalmente 3 terminais: Porta, Fonte e Dreno (ou Gate, Source e Drain respectivamente).
Há dois tipos essenciais: o canal N e o canal P, e se diferenciam basicamente pela polarização. A corrente a ser fornecida para um circuito, que circulará entre o terminal Fonte e o Dreno do FET, é controlada pela tensão aplicada no terminal Porta. Este último possui uma separação dielétrica dos outros dois, gerando portanto uma corrente quase nula no gate, e um campo elétrico que influencia no Dreno e no Fonte.

Simbologia do MOSFET

A palavra "metal" no nome é um anacronismo vindo dos primeiros chips, onde as comportas (gates) eram de metal. Os chips modernos usam comportas de polis silício, mas ainda são chamados de MOSFETs.
Um MOSFET é composto de um canal de material semicondutor de tipo N ou de tipo P e é chamado respectivamente de NMOSFET ou PMOSFET.
Geralmente o semicondutor escolhido é o silício, mas alguns fabricantes, principalmente a IBM, começaram a usar uma mistura de silício e germânio (SiGe) nos canais dos MOSFETs. Infelizmente muitos semicondutores com melhores propriedades elétricas do que o silício, tais como o arsenieto de gálio, não formam bons óxidos nas comportas e portanto não são adequados para os MOSFETs.
O IGFET é um termo relacionado que significa Insulated-Gate Field Effect Transistor, e é quase sinônimo de MOSFET, embora ele possa se referir a um FET com comporta isolada por um isolante não óxido.
Corte transversal de um MOSFET tipo N (NMOS)
O terminal de comporta é uma camada de polis silício (silício policristalino) colocada sobre o canal, mas