MOSFET

Escola de Educação Profissional – Senai Plínio Gilberto Kroeff – CETEMP
TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE PORTA ISOLADA - MOSFET
Os transistores de efeito de campo do tipo porta isolada (IGFET – Isolated
Gate Field Effect Transistor), assim como os JFET´s, são dispositivos unipolares, cujo controle de corrente é realizado por intermédio de um campo eletrostático. A sigla MOSFET ( Metal – Oxide – Semiconductor, Field Effect Transistor) é adotada como padrão.
A figura ilustra as diferenças estruturais entre dispositivos MOSFET e
JFET.

Estruturas básicas dos dispositivos JFET e MOSFET.
Como mostrado na figura a, em dispositivos JFET o canal está localizado inteiramente no interior do substrato, existindo, portanto duas junções semicondutoras entre o substrato e o canal. Em dispositivos MOSFET, por outro lado, o eletrodo metálico do terminal porta é separado do canal por uma fina camada isolante de óxido, conforme mostrado na figura b. Forma-se portanto uma estrutura entre porta e canal do tipo metal-óxido-semicondutor
(MOS).
Os MOSFET´s podem ser dois tipos:
- MOSFET – tipo DEPLEÇÃO
- MOSFET – tipo ENRIQUECIMENTO ( NÃO – DEPLEÇÃO)

MOSFET TIPO DEPLEÇÃO

Estruturas MOSFET tipo depleção de canal p e de canal n.

Simbologia dos MOSFET´s tipo DEPLEÇÃO

PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO
O controle de corrente em MOSFET´s depleção, da mesma forma em que nos dispositivos JFET, é feito pelo controle da largura do canal, através do potencial aplicado à porta do dispositivo. Será analisado inicialmente para o caso de um dispositivo com canal p.
Se a porta for submetido ao mesmo potencial do terminal fonte, há circulação de corrente fonte – dreno. Figura a.
Com aplicação de uma tensão positiva à porta do dispositivo, o canal será estreitado, reduzindo a corrente ID. Figura b.

Dessa forma, através do controle do potencial aplicado à porta, pode-se controlar a corrente no canal.
Há contudo uma diferença singular entre MOSFETS depleção e JFETs.