artigo transistores

ESTUDO APLICADO SOBRE TRANSISTORES TIPO MOSFET, SCR E IGBT RODRIGO BRANDÃO ALBANO, LEANDRO MENCK Universidade do Norte do Paraná ­ UNOPAR Programa de Graduação em Engenharia Elétrica R. Tietê, 1208 – Londrina/PR, Brasil ­ CEP 86025­230 E­mails: rodrigoalbano91@gmail.com,leandrotriel@hotmail.com Abstract ⎯ A bipolar junction transistor (BJT) is a NPN or PNP current control device in which currents are involved electrons and holes. It operates as voltage­controlled device with the electron current in the N channel or the current gaps in channel P. This work aims to study transistors, specifically transistors type MOSFET, SCR and IGBT, its workings and applications. Keywords ⎯ Operation, IGBT, MOSFET, SCR, transistor. Resumo ⎯ Um transistor bipolar de junção (TBJ) NPN ou PNP é um dispositivo de corrente controlada no qual estão envolvidas correntes de elétrons e lacunas. Ele opera como dispositivo de tensão controlada com a corrente de elétrons no canal N ou a corrente de lacunas no canal P. Este trabalho tem como objetivo o estudo de transistores, especificamente os transistores do tipo MOSFET, SCR e IGBT, seus funcionamentos e aplicações. Palavras­chave ⎯ Funcionamento, IGBT, Mosfet, SCR, transistor. 1 Introdução Um transistor bipolar de junção (TBJ) NPN ou PNP é um dispositivo de corrente controlada no qual estão envolvidas…

gate. SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA - GTO Princípio de funcionamento Em muitas aplicações de eletrônica de potência, os SCR s são considerados como chaves ideais. Eles suportam altas tensões reversas ( e diretas quando em não condução ), e altas correntes diretas, apresentando uma pequena queda de tensão direta. A sua principal característica está no seu disparo que é realizado através de um sinal positivo aplicado em seu gate. A principal desvantagem está na impossibilidade de se…

JEFFERSON ABNER OBJETIVOS: • Aplicar técnicas de controle de potência em equipamentos e dispositivos eletroeletrônicos; • Especificar e utilizar dispositivos eletrônicos de controle de potência em acionamentos de equipamentos; • Analisar gráficos e interpretar curvas características dos dispositivos eletrônicos; CONHECIMENTOS: • Dispositivos retificadores (SCR, TRIAC, DIAC, UJT, IGBT) • Especificações e limitações de dispositivos semicondutores • Características de Gatilho e…

limites, permite a passagem de corrente em um único sentido. Alguns detalhes de funcionamento, que em geral são desprezados para diodos comuns, podem ser significativos para componentes de maior potência, caracterizados por: I - Uma maior área, que permite suportar maiores correntes, II - Maior comprimento, que permite suportar tensões mais elevadas. Em sua maioria os diodos são construídos com silício que é um elemento considerado semicondutor, cuja resistência elétrica diminui com o…

Introdução O IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor) é um semicondutor e possui características de chaveamento como os transistores bipolares e alta impedância como os MOSFETs apresentando baixa tensão de saturação e alta capacidade de corrente, destacando-se por possuir alta eficiência e rápido chaveamento. Podendo ser analisado também como um MOSFET acionando um transistor bipolar. Fotografia de…

de 2010 Introdução O IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor, ou transistor bipolar de porta isolada - é um componente semicondutor de potência, que possui como principais características: alta eficiência, rápida comutação e facilidade de acionamento.Atualmente ele é muito utilizado em inversores de frequência e fontes chaveadas de alta potência, além de ter aplicação em carros híbridos ou elétricos, popularizando cada vez mais o seu uso emeletrônica embarcada e de consumo, em…

César Transistores e Tirístores São Luís - MA 2014 Centro de Educação Profissional e Tecnologia – CEPT-DI São Luís, dia 16 de dezembro de 2014. Curso Técnico de Eletromecânica Modulo: Eletrônica Professor: Júlio César DAYANE GONÇALVES COSME DAMIÃO JUNIOR SANDRIELY DAMASCENO Trabalho realizado para obtenção de nota Parcial da disciplina de eletrônica. SÃO LUÍS 2014 INTRODUÇÃO Este trabalho abordará…

SUMÁRIO INTRODUÇÃO 2 SEMICONDUTOR IGBT E TRANSITOR MOSFET 3 1. CONCEITOS 3 2. SIMBOLOGIA DO IGBT E MOSFET 4 3. ONDE SE APLICA O IGBT E O MOSFET 4 4. PESQUISAS BIBLIOGRÁFICAS 5 CONCLUSÃO 8 REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS 9 INTRODUÇÃO Desde a invenção do primeiro transistor de junção PNPN, pelos laboratórios Bell em 1957, houve um grande avanço nos dispositivos semicondutores de potência. Até 1970, os transistores convencionais foram exclusivamente…

motores trifásicos, utilizando um dispositivo chaveador do tipo IGBT juntamente com um circuito driver, e um microcontrolador, que proverá todos os tipos de pulsos necessários para efetuar o chaveamento do IGBT. Palavra-chave: Inversor de freqüência, onda senoidal chaveada. ABSTRACT This work is intended to provide an electronic circuit that acts as a frequency inverter for AC motors using a switch-type device with an IGBT driver circuit and a microcontroller, which will provide all…

INVERSORES DE FREQUÊNCIA SUMÁRIO 1.INTRODUÇÃO 3 2.DESENVOLVIMENTO 4 2.1.APLICAÇÃO DO INVERSOR DE FREQUÊNCIA 4 2.2.FUNCIONAMENTO E CONSTITUIÇÃO 4 2.2.1.BLOCOS CONSTITUINTES 4/5 3.CONSTITUINTES 6 3.1.TIRISTOR 6/7 3.2.IGBT 7/8 4.CURVA V/F 8/9 4.1.INVERSOR VETORIAL E ESCALAR 10 5.CONCLUSÃO 11 6.REFERÊNCIAS BIBLIOGRAFICAS 12 1. INTRODUÇÃO O aumento da produção industrial exige motores com crescente robustez e…