IGBT

Introdução O IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor) é um semicondutor e possui características de chaveamento como os transistores bipolares e alta impedância como os MOSFETs apresentando baixa tensão de saturação e alta capacidade de corrente, destacando-se por possuir alta eficiência e rápido chaveamento. Podendo ser analisado também como um MOSFET acionando um transistor bipolar. Fotografia de um IGBT. Fig1 Símbolo do IGBT.Fig2 Apresentamos a estrutura de IGBT de canal tipo N. Sua estrutura muito semelhante àquela apresentada por um transistor MOSFET. Onde, no caso o IGBT, teremos uma dupla difusão de uma região do tipo P e uma do tipo N. Abaixo da região da porta (Gate), uma camada de inversão pode ser formada a partir da aplicação de uma certa tensão entre a porta e o emissor, assim como em um MOSFET para fazê-lo entrar em condução. Estrutura interna do IGBT.Fig3 O IGBT é frequentemente utilizado como uma chave, alternando os estados de condução e corte os quais são controlados pela tensão de porta, assim como em um MOSFET. Se aplicarmos uma pequena tensão de porta positiva em relação ao emissor, a junção J1 da Fig3 anterior ficará reversamente polarizada e nenhuma corrente irá circular através dessa…

O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) CONCEITO: O IGBT é um semicondutor de potência que alia as características de chaveamento dos transistores bipolares com a alta impedância dos MOSFETs apresentando baixa tensão de saturação e alta capacidade de corrente. O IGBT destaca-se por possuir alta eficiência e rápido chaveamento. Possui características de transistor MosFet na entrada e de transistor Bipolar na saída. ASPECTOS CONSTRUTIVOS: Sua estrutura é muito semelhante àquela…

IGBT Este é o acrônimo para Isolated-Gate Bipolar Transistor. Trata-se de um semicondutor que é metade FET e metade bipolar. Nele, a corrente principal é conduzida entre um coletor e um emissor como num transistor bipolar, mas esta corrente é controlada por uma tensão aplicada numa comporta, como num FET. Os IGBTs reúnem as vantagens dos dois componentes e por isso podem ser usados no controle de dispositivos de potência, sendo encontrados principalmente em aplicações industriais. IGBTs…

O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).... O IGBT é freqüentemente utilizado como uma chave, alternando os estados de condução (On-state) e corte (Off-state) os quais são controlados pela tensão de porta, assim como em um MOSFET, Os IGBT’s são componentes usados principalmente como comutadores em conversores de freqüência, inversores etc. Nestas aplicações, normalmente uma carga indutiva é ligada e desligada, podendo com isso aparecer tensões inversas elevados, contra as quais o…

Definição O nome IGBT, é uma sigla de origem na Língua Inglesa e significa Insulated Gate Bipolar Transistor ou, em Português Transistor Bipolar de Porta Isolada. O IGBT é um semicondutor de potência que alia as características de chaveamento dos transistores bipolares com a alta impedância dos MOSFETs apresentando baixa tensão de saturação e alta capacidade de corrente. O IGBT destaca-se por possuir alta eficiência e rápido chaveamento. Atualmente é muito utilizado em equipamentos…

IGBT O IGBT reúne a facilidade de acionamento dos MOSFET’s e sua elevada impedância de entrada com as pequenas perdas em condução dos TBP (Transistores Bipolares de Potência). Sua velocidade de chaveamento é determinada, a princípio, pelas características mais lentas – as quais são devidas às características do TBP. Assim, a velocidade dos IGBT’s é semelhante à dos TBP; no entanto, nos últimos anos tem crescido gradativamente, permitindo a sua operação em freqüências de dezenas de kHz,…

Como funciona o IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) (ART1018) Reunindo as características de comutação dos transistores bipolares de potência à alta impedância de entrada dos transistores de efeito de campo, o IGBT se torna cada vez mais popular nos circuitos de controle de potência de uso industrial e até mesmo em eletrônica de consumo e embarcada. Veja neste artigo o que é o IGBT e quais são suas características principais. Os transistores bipolares de potência possuem…

IGBT O nome IGBT, é uma sigla de origem na Língua Inglesa e significa Insulated Gate Bipolar Transistor ou, em Português Transistor Bipolar de Porta Isolada. O IGBT é um semicondutor de potência que alia as características de chaveamento dos transistores bipolares com a alta impedância dos MOSFETs apresentando baixa tensão de saturação e alta capacidade de corrente. O IGBT destaca-se por possuir alta eficiência e rápido chaveamento. Atualmente são muito utilizados em equipamentos…

IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor 1. O controle do transistor IGBT é feito aplicando-se uma tensão VGE > VTH para condução e VGE < VTH para bloqueio; 2. A tensão de “threshold” VTH é da ordem de uns 3V a 5V; 3. A impedância de entrada de um transistor IGBT é muito elevada; 4. A condução é feita por portadores minoritários; 5. A máxima tensão VGE é de +20V e a mínima é de -20V; 6. Geralmente, o transistor IGBT é comandado com uma tensão de +15V para condução e uma…

17/03/2015 IGBT O S it e do Ha r dw a r e Livr e ­ OS HW ­ Buscar... OK Select Language Circuitos e Projetos Eletrônicos Electronic Projects and Circuits Principal Instituto New ton C. Braga Contato Últimas atualizações Livros Técnicos Controle Térmico para Estufas (ART2324) SBR® Retificadores Super Barreira (COM802) Comparadores de Tensão e Discriminadores de Janela (ART2309) Filtros Ativos Com Operacionais (ART2296) O Autor Colaboradores Mecatrônica Automação Fichas de…