O IGBT

O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
CONCEITO:
O IGBT é um semicondutor de potência que alia as características de chaveamento dos transistores bipolares com a alta impedância dos MOSFETs apresentando baixa tensão de saturação e alta capacidade de corrente. O IGBT destaca-se por possuir alta eficiência e rápido chaveamento. Possui características de transistor MosFet na entrada e de transistor Bipolar na saída.

ASPECTOS CONSTRUTIVOS:
Sua estrutura é muito semelhante àquela apresentada por um transistor MOSFET. No caso do IGBT, teremos uma dupla difusão de uma região do tipo P e uma do tipo N. É frequentemente utilizado como uma chave, alternando os estados de condução e corte os quais são controlados pela tensão de porta, assim como em um MOSFET.

FUNCIONAMENTO/OPERAÇÃO:
A corrente principal é conduzida entre um coletor e um emissor como num transistor bipolar, mas esta corrente é controlada por uma tensão aplicada numa comporta, como num FET.

SIMBOLOGIA E CIRCUITO EQUIVALENTE:
O aspecto externo é o mesmo de qualquer transistor de potência comum (Bipolar ou Power MOSFET) de modo que, para saber se é um IGBTs, temos de nos basear no seu número de fábrica. Os IGBTs são identificados por números de fábrica.

PRINCIPAIS CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS:
O IGBT reúne a facilidade de acionamento dos MOSFET’s e sua elevada impedância de entrada com as pequenas perdas em condução dos TBP (Transistores Bipolares de Potência). Sua velocidade de chaveamento é determinada, a princípio, pelas características mais lentas – as quais são devidas às características do TBP. Assim, a velocidade dos IGBT’s é semelhante à dos TBP; no entanto, nos últimos anos tem crescido gradativamente, permitindo a sua operação em frequências de dezenas de kHz, nos componentes para correntes na faixa de dezenas e até centenas de Ampères.
Juntando o que há de bom nesses dois tipos de transistores, o IGBT é um componente que se torna cada vez mais recomendado para comutação de carga de alta corrente