Igbt Funcionamento

Não-Autônomos Os inversores não-autônomos utilizam tiristores e opera ligados á rede elétrica CA, a qual é responsável pela comutação dos dispositivos, daí o seu nome. A freqüência de funcionamento é fixa a freqüência da rede. O controle do fluxo de energia do lado CC para CA pode ser maior que 90° para o funcionamento do motor inversor. Atualmente, a utilização de inversores não-autônomos é restrita a aplicações de potências muito elevadas, como nos sistemas HVDC. Inversores…

transistores de potência podem ser divididos em: 1.Transistores Bipolares de Junção (BJTs); 2.Transistores de Efeito de Campo de Óxido Metálico Semicondutor (MOSFETs); 3.Transistor de Indução Estática (STIs); 4.Transistores Bipolares de Porta Isolada (IGBT). Estes transistores são considerados como chaves ideais em técnicas de conversão de potência. O chaveamento de um transistor é mais simples que o chaveamento de um tiristor por comutação forçada. Entretanto, a escolha entre…

– Diode Alternative Current 4.4 SCS - Silicon Controlled Switch 4.5 TRIAC – Triode Alternating Current 4.6 Circuitos com Tiristores 4.7 GTO – Gate Turn-Off Tiristor 5. Componentes de Nova Tecnologia 5.1 MCT – MOS Controlled Tiristor 5.2 IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor 6. Conversor CA/C – Retificador 6.1 Retificador Monofásico de Meia Onda 6.2 Retificador Monofásico de Meia Onda, Controlado 6.3 Retificador Bifásico de Meia Onda 6.4 Retificador Monofásico de Onda…

dispositivos. 2.0 OBJETIVO Os Dispositivos semicondutores da eletrônica de potência que serão abordados nesta ATPS São; DIODOS; DIODOS DE POTÊNCIA; TIRISTORES (SCR, DIAC, TRIAC E GTO); TIRISTOR; TRANSISTORES DE POTÊNCIA (BJT, UJT, MOSFET E IGBT) ; CONVERSORES CA/CC 3.0 DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA 3.1 DIODOS Características que diferenciam um diodo comum de um diodo de potência Com a diversificação dos tipos de materiais e da forma de construção utilizados…

eficincia, robustez a variaes da tenso de entrada e/ou da carga, custo, tamanho e peso, para que possa ser realizada uma comparao com os dados de um transformador com enrolamentos imersos em leo isolante que utilize princpios eletromagnticos em seu funcionamento. Palavras-chave Transformador, Estado slido, Conversores estticos.  SUMRIO OBJETIVOS ..............................................................................................................................4 DESCRIO DO…

..................................................................36 3.12.1 Teoria do Aquecimento Indutivo........................................................................................................37 3.13 Chaveamentode Potência com IGBTs ...................................................................................................41 3.14 Estruturas Metaestáveis Obtidas por Resfriamento Rápido - RSP ........................................................45 3.14.1…

contínua, que eram utilizados quando era necessário o controle da velocidade. São apresentados os principais componentes eletrônicos aos quais são projetados assim como as características dos dois dispositivos e é feita a descrição do princípio de funcionamento de cada um. Palavras-chave: Acionamento. Cicloconversor. Controle de velocidade. Eletrônica de potência. Inversor de frequência. ABSTRACT This work develops a comparative study between frequency inverters and cycloconverters,…

para o BJT, e a facilidade de projeto e velocidade de chaveamento, com vantagem para o MOSFET. * Na tentativa de resolver as limitações do BJT e do MOSFET, foi desenvolvido o transistor bipolar de porta isolada (insulated-gate bipolar transistor – IGBT). Estes transistores operam com baixas perdas no estado ‘ligado’, suportam velocidades de chaveamento relativamente altas e requerem circuitos de acionamento relativamente simples. TRANSISTOR BJT O transistor bipolar é um…

.............................................................................................. 03 Introdução.............................................................................................................. 04 Princípio de Funcionamento.................................................................................. 05 Memorial de Cálculo..................................................................................

.............................................12 Transistores bipolares de porta isolada (IGBTs) ..................................................................................................12 Princípios de operação..........................................................................................................................................13 Curva característica de tensão-corrente do IGBT..........................................................................................