ATPS Eletronica de Potencia

UNIVERSIDADE ANHANGUERA
ENGENHARIA ELÉTRICA – CAMPUS ABC

ATPS Eletrônica de Potência I

UNIVERSIDADE ANHANGUERA
ENGENHARIA ELÉTRICA – CAMPUS ABC

ATPS – ELETRÔNICA DE POTÊNCIA I
ALUNO: WILLIAM APARECIDO NALOTO VENÂNCIO RA: 080194494

ÍNDICE

1.0 INTRODUÇÃO
Esta ATPS tem por finalidade apresentar conceitos de eletrônica de potência e seus dispositivos.
2.0 OBJETIVO
Os Dispositivos semicondutores da eletrônica de potência que serão abordados nesta ATPS São;

DIODOS;
DIODOS DE POTÊNCIA; TIRISTORES (SCR, DIAC, TRIAC E GTO); TIRISTOR;
TRANSISTORES DE POTÊNCIA (BJT, UJT, MOSFET E IGBT) ;
CONVERSORES CA/CC

3.0 DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA

3.1 DIODOS
Características que diferenciam um diodo comum de um diodo de potência

Com a diversificação dos tipos de materiais e da forma de construção utilizados para o desenvolvimento de componentes semicondutores, foi possível observar a ocorrência de diferentes tipos de fenômenos físicos. Alguns destes fenômenos foram aproveitados para o desenvolvimento de componentes eletrônicos especiais, como os diodos.
Um diodo semicondutor é uma estrutura P-N que, dentro de seus limites, permite a passagem de corrente em um único sentido. Alguns detalhes de funcionamento, que em geral são desprezados para diodos comuns, podem ser significativos para componentes de maior potência, caracterizados por, uma maior área, que permite suportar maiores correntes, maior comprimento, que permite suportar tensões mais elevadas. Os diodos de potência apresentam além das duas camadas P e N, uma terceira camada. A camada N extra e intermediaria às duas convencionais é de baixa dopagem (N-) e sua função é aumentar a capacidade do componente quando aplicado em tensões elevadas. Essa camada acrescenta uma parcela resistiva ao diodo quando em condução. Além disso, a área da seção transversal das junções é maior do que a de um