artigo transistores

ESTUDO APLICADO SOBRE TRANSISTORES TIPO MOSFET, SCR E IGBT
RODRIGO BRANDÃO ALBANO, LEANDRO MENCK
Universidade do Norte do Paraná ­ UNOPAR
Programa de Graduação em Engenharia Elétrica
R. Tietê, 1208 – Londrina/PR, Brasil ­ CEP 86025­230
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Abstract
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A bipolar junction transistor (BJT) is a NPN or PNP current control device in which currents are involved electrons and holes. It operates as voltage­controlled device with the electron current in the N channel or the current gaps in channel P. This work aims to study transistors, specifically transistors type MOSFET, SCR and
IGBT, its workings and applications.
Keywords
⎯ Operation, IGBT, MOSFET, SCR, transistor.
Resumo
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Um transistor bipolar de junção (TBJ) NPN ou PNP é um dispositivo de corrente controlada no qual estão envolvidas correntes de elétrons e lacunas. Ele opera como dispositivo de tensão controlada com a corrente de elétrons no canal
N ou a corrente de lacunas no canal P. Este trabalho tem como objetivo o estudo de transistores, especificamente os transistores do tipo MOSFET, SCR e IGBT, seus funcionamentos e aplicações.

Palavras­chave
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Funcionamento,
IGBT, Mosfet, SCR, transistor.

1 Introdução
Um transistor bipolar de junção (TBJ) NPN ou PNP é um dispositivo de corrente controlada no qual estão envolvidas correntes de elétrons e lacunas. Ele opera como dispositivo de tensão controlada com a corrente de elétrons no canal N ou a corrente de lacunas no canal P. Os dispositivos TBJ ou TEC podem ser usados em um circuito amplificador (ou outros circuitos semelhantes, desde que sejam adequadamente polarizados).
Existem dois tipos: o transistor de efeito de campo de junção (abreviadamente TECJ ou JFET – Junction
Field Effect Transistor) e o transistor de efeito de