Transistores de Efeito de Campo

O transistor de efeito de campo de junção, JFET, é um dispositivo de três terminais utilizado em várias aplicações, como: pré-amplificador de vídeo para câmeras de TV, estágios amplificadores de RF para receptores de comunicações, instrumentos de medição, etc. e que realiza muitas das funções do transistor bipolar de junção (BJT), embora que haja diferenças importantes entre os dois dispositivos. A principal diferença entre os dois tipos de transistores é o fato de que o
BJT é um dispositivo controlado por corrente, enquanto que o JFET é um dispositivo controlado por tensão. Em outras palavras, a corrente IC do BJT depende diretamente de IB, e para o JFET a corrente ID depende diretamente da tensão VGS aplicada ao circuito de entrada. Em ambos os casos a corrente de saída está sendo controlada por algum parâmetro de circuito de entrada, em um caso, o nível de corrente, e no outro, a tensão aplicada.

Assim como nos transistores bipolar de junção, existem transistores de efeito de campo de canal n e canal p. Entretanto, é importante observar que o
BJT é um dispositivo bipolar, enquanto que o JFET é um dispositivo unipolar, ou seja, depende somente da condução realizada por elétrons (canal n) ou lacunas (canal p).

Uma das características mais importantes do JFET é a alta impedância de entrada. Esta característica é muito relevante no projeto de amplificadores.
Por outro lado o BJT apresenta maior sensibilidade às variações do sinal aplicado. Assim, as variações de corrente de saída são tipicamente maiores para os BJTs do que para os FETs, para uma mesma variação do sinal de entrada, por isso que os ganhos de tensão dos amplificadores adquiridos com a utilização dos BJTs são superiores que aos ganhos de tensão adquiridos com a utilização de amplificadores com FETs. Em geral os FETs são mais estáveis com relação a temperatura do que os BJTs.

O transistor