FET - Transistor de Efeito de cAMPO

UNIVERSIDADE FEDERAL DE CAMPINA GRANDE
CENTRO DE ENGENHARIA ELÉTRICA E INFORMÁTICA
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
LABORATÓRIO DE DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

Experimento 5
Transistor MOSFET

LABORATÓRIO DE
DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
Guia de Experimentos

Experimento 5 – Características e Aplicações de Transistores de Efeito de Campo (FET)
Objetivo
Os experimentos de laboratório aqui apresentados têm por objetivo familiarizar-se com o estudo das características básicas do transistor de efeito de campo
(MOSFET) e iniciar a exploração de algumas de suas aplicações fundamentais
(amplificadores, portas lógicas).

Introdução Teórica
Transistor de Efeito de Campo
Um transistor bipolar de junção (TBJ) NPN ou PNP é um dispositivo de corrente controlada no qual estão envolvidas correntes de elétrons e lacunas. O transistor de efeito de campo (TEC) é unipolar. Ele opera como dispositivo de tensão controlada com a corrente de elétrons no canal N ou a corrente de lacunas no canal P.
Os dispositivos TBJ ou TEC podem ser usados em um circuito amplificador (ou outros circuitos semelhantes, desde que sejam adequadamente polarizados).
Existem dois tipos: o transistor de efeito de campo de junção
(abreviadamente TECJ ou JFET – Junction Field Effect Transistor) e o transistor de efeito de campo de porta isolada (IGFET – Insulated Gate Field Effect Transistor), mais comumente chamado transistor metal-óxido-semicondutor (TECMOS ou
MOSFET – Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).
O transistor de efeito de campo difere do transistor de junção bipolar nas seguintes características importantes:
1. É de fabricação simples e ocupa menos espaço. O MOSFET quando integrado ocupa menos da área da pastilha ocupada pelo transistor bipolar. Desta maneira, são amplamente utilizados para integração em larga escala (LSI).
2. Em uma parte da faixa de operação dos MOSFET, eles atuam como elementos resistivos controlados por tensão e ocupam área muito