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972 palavras 4 páginas
ETEVM

Transistor de efeito de campo

Aluno: Matheus Batista Moura da Silva
Professor: Flavio
Disciplina: Eletrônica

TEMA: Transistor de efeito de campo

Introdução

Transistor de efeito de campo ou simplesmente, FET (Field Effect Transistor) é um dispositivo que pode ser usado nas mesmas aplicações que os transistores bipolares, ou seja, como amplificador, chave ou oscilador. Veremos neste artigo suas principais características. Estes transistores são dispositivos unipolares, Estão baseados na modulação da largura de um canal, portanto sua capacidade de corrente, por uma tensão aplicada, os transistores normais são controlados em geral por uma determinada corrente, já o FET é acionado pela tensão, já assim definindo uma de suas principais características. Seu funcionamento é feito através da junção de um campo elétrico, por isso que é acionado por tensão. Esse dispositivo tem também característica de apresentar uma alta impedância, fato que lhe torna um dispositivo muito usado em amplificadores, para tornar as freqüências mais altas. O fato de sua impedância ser bem elevada, ele pode ser usado em algumas situações como um transformador, podendo elevar tensões. As suas funções estão diretamente ligadas à sistemas de circuitos integrados.

Características físicas Em geral os transistores de efeito de campo tem a sua composição feita de silício e outros de germânio, maior parte dos dispositivo é feita de silício, os de germânio geralmente são usados em circuitos de altas potencias, esses matérias são combinadas à substâncias dopantes que são as responsáveis por executar as funções que o dispositivo apresenta. Ele também de uso geral, também apresenta três terminais chamados: porta (gate), fonte (source) e dreno (drain). Também existem dois tipos de transistores de efeito de campo que diferem na sua aparência física, aonde será mostrado a seguir.
Especificações
Um MOSFET é identificado por um código

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