TrabPesq EE M7 11Mec n7 n11 n13 13 12 2013

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Índice

Pesquisa 2
Conclusão 8
Referências 9

Pesquisa

O FET (abreviação de Field Effect Transistor) ou transistor de efeito de campo é um dispositivo que pode ser usado nas mesmas aplicações que os transistores bipolares, ou seja, como amplificador, chave ou oscilador. Veremos neste artigo suas principais características.

O FET básico é formado por uma peça de material semicondutor N na qual duas regiões P são formadas, deixando entre elas um canal conforme mostra a figura 1.

A corrente através do canal de material N pode ser controlada por uma tensão aplicada ao material N. Variações pequenas da tensão aplicada ao terminal de comporta (gate ou G) provocam, então, variações de corrente maiores entre o dreno (drain =d) e a fonte (source = s). Enquanto os transistores bipolares são típicos amplificadores de corrente, os FETs são amplificadores de tensão. O FET pode ser encontrado em dois tipos básicos: canal N ou canal P, conforme o material usado. Este tipo básico de transistor de efeito de campo, onde existe uma junção entre os materiais P e N, é também chamado de FET de junção ou JFET. Na figura 2 temos um circuito básico empregando um FET deste tipo como amplificador de sinais.

O FET pode ser utilizado nas mesmas configurações básicas em que os transistores de junção são ligados, veja a figura 3.

Atenção Os FETs são dispositivos sensíveis. Uma carga estática pode danificá-los. Nunca os segure pelos terminais. Símbolos e tipos Na figura 4 ilustramos os símbolos usados para representar os FETs. Observamos que não existe nenhuma diferença externa entre os transistores bipolares comuns e os FETs. Para saber qual é um ou qual é outro somente conhecendo o tipo ou tendo o diagrama do aparelho onde eles são utilizados.

Onde são encontrados Os JFETs são encontrados em circuitos onde sinais devam ser gerados, controlados ou amplificados. Eles tanto podem ser usados no modo linear (como amplificadores) ou como chaves. Na figura 5 temos