Eletrônica

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Transistores de Efeito de Campo (npn) dreno FET porta fonte emissor BJE base coletor

dispositivo de 3 terminais corrente e- de canal da fonte para dreno controlada pelo campo elétrico gerado pelo porta impedância de entrada extremamente alta para base
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corrente e de emissor para coletor controlada pela corrente injetada na base

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Há muitos tipos de transistores além do transistor de junção bipolar (BJT) que discutimos até agora. Uma importante classe de transistores de 3 terminais são os dispositivos de efeito de campo. Para estes, o parâmetro de controle é o campo elétrico através da junção, em oposição à corrente do BJT. Já que um campo elétrico está associado a uma tensão, a vantagem importante dos dispositivos de efeito de campo é que não precisa haver uma corrente no elemento de controle (a porta). Isso resulta em uma impedância de entrada bastante elevada, e uma corrente de fuga bastante baixa. Os mais fáceis de entender são os transistores de efeito de campo de junção (JFETs), que iremos discutir primeiro e com um certo detalhe. Os FETs semicondutores de óxido de metal (MOSFETs) são muito importantes para implementações de lógica digital.

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Tipos de FETs
Além do tipo portador (canal N ou P), existem diferenças em como o elemento de controle é construído (Junção vs Isolado), e esses dispositivos devem ser usados de formas diferentes npn FETs de junção de modo de depleção (JFET) pnp npn FET de semicondutor de óxido de metal (MOSFET) pnp - modo de depleção/ crescimento - modo de crescimento (FETs e IGFETs de porta isolado são a mesma coisa que MOSFETs)
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Assim como ocorre com os BJTs, há sempre dois tipos de transistores, npn e pnp. A diferença está no portador majoritário (elétrons ou lacunas). Já que os FETs são controlados por variações no campo elétrico através da junção, é possível construir um capacitor no elemento de controle a,