Transistor efeito de campo

* Introdução * Desenvolvimento * Conclusão * Bibliografia

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Introdução

Neste trabalho vou falar sobre o transístor de efeito de campo, como funciona, as suas zonas de operações etc.

Começo por dizer que o FET é o acrónimo em inglês que significa (Field Effect Transistor) ou seja, Transístor de Efeito de Campo, que, como o próprio nome diz, funciona através do efeito de um campo eléctrico na junção. Ou seja é um dispositivo semicondutor cuja corrente de operação depende do campo eléctrico aplicado no seu terminal de controlo, diferentemente do transístor bipolar, cuja corrente que flui entre o emissor e o colector é controlada por corrente injectada no terminal base.

Este tipo de transístor tem muitas aplicações na área de amplificadores (operando na área linear), em chaves (operando fora da área linear) ou em controlo de corrente sobre uma carga. Os FETs têm como principal característica uma elevada impedância de entrada o que permite seu uso como adaptador de impedâncias podendo substituir transformadores em determinadas situações, além disso são usados para amplificar frequências altas com ganho superior ao dos transístores bipolares. Um transístor JFET é um componente unipolar (usa electrões ou lacunas).
Existem três eléctrodos num transístor JFET. Estes são: a fonte, a porta e o dreno.
Num transístor JFET a corrente flui da fonte para o dreno através de um canal. O transístor JFET é identificado pelo tipo de material semicondutor em seu canal.
Num transístor JFET com canal N, a porta é negativa e o dreno é positivo com relação à fonte. Transístores JFET com canal P são normalmente operados com a porta positiva e o dreno negativo. (As tensões são fornecidas com relação á tensão da fonte.)
Um transístor JFET é um componente operado por tensão (igual a uma válvula a vácuo)

Desenvolvimento

Historial Os FETs foram inventados por Julius Edgar Lilienfeld em 1926 e por Oskar Heil em 1934.