Transistores de Efeito de Campo

Transistores de efeito de campo (FETs)

O FET (abreviação de Field Effect Transistor) ou transistor de Efeito de Campo, que, como o próprio nome diz, funciona através do efeito de um campo elétrico na junção. Este tipo de transistor tem muitas aplicações na área de amplificadores (operando na área linear), em chaves (operando fora da área linear) ou em controle de corrente sobre uma carga.
O transistor de efeito de campo, é um dispositivo de três terminais, utilizado em várias aplicações, como: pré-amplificador de vídeo para câmeras de TV, estágios amplificadores de RF para receptores de comunicações, instrumentos de medição, etc. e que realiza muitas das funções do TBJ, embora haja diferenças importantes entre os dois dispositivos.
A diferença fundamental entre os tipos de transistores é o fato de que o TBJ é um dispositivo controlado a corrente, enquanto o FET é um dispositivo controlado por tensão. Em outras palavras, a corrente IC do TBJ é função direta do nível IB e para o FET, a corrente ID será função direta da tensão VGS aplicada ao circuito de entrada.

Assim como existem transistores NPN e PNP, existem transistores de efeito de campo de canal N e canal P. Entretanto, é importante observar que o TBJ é um dispositivo bipolar, enquanto que o JFET é um dispositivo unipolar, dependendo somente da condução realizada por elétrons (canal N) ou lacunas (canal P).
Uma das características mais importante do FET é a alta impedância de entrada, com valores maiores de 1Mohms. Esta característica é muito relevante no projeto de amplificadores lineares. Por outro lado o TBJ apresenta maior sensibilidade às variações do sinal aplicado. Em outras palavras as variações de corrente de saída são tipicamente maiores para os TBJs do que para os FETs, para uma mesma variação de sinal de entrada, por isso que os ganhos de tensão dos amplificadores adquiridos com a utilização dos TBJs são superiores que aos ganhos de tensão adquiridos com a utilização de amplificadores com