Transistores de Efeito de Campo

• Transistores de Efeito de Campo (FETS)
Como no caso do TBJ, a tensão entre dois terminais do FET (field-effect transistor) controla a corrent e que circula pelo terceiro terminal. Correspondentemente o FET pode s er usado tanto como amplificador quanto como uma ch ave. O nome do dispositivo origina-se de seu pricípio de operação.
O controle é baseado no campo elétrico estabelecid o pela tensão aplicada no terminal de controle. O transistor
MOSFET
(acrônimo de Metal
Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico), é, de longe, o tipo mais comum de transistores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analógicos.

•
Operação do transistor
A operação de um MOSFET pode ser dividida em três d iferentes regiões, dependendo das tensões aplicadas sobre seus terminais. Para o MOSFET canal n
:
•
Região de Corte: quando V
GS
< V t , onde V
GS
é a tensão entre a porta (gate) e a fonte (source)
. O transistor permanece desligado, e não há condução entre o dreno e a font
e. Enquanto a corrente entre o dreno e fonte deve i dealmente ser zero devido à chave estar desligada, há uma fraca corren te invertida.
•
Região de Triodo (ou região linear): quando V
GS
> V t e V ds < V
GS
- V t onde V ds é a tensão entre dreno e fonte. O transístor é ligado, e o canal que é criado permite o fluxo de corrente entre o dreno e fonte. O MOSFE
T opera como um resistor, controlado pela tensão na porta. A corren te do dreno para a fonte é:
(
)
[
]
2
2
DS
DS t GS
D
V
V
V
V
K
I
−
−
=
, onde
L
W
C
K ox n μ 2
1
=
•
Região de Saturação: quando V
GS
> V t e V ds > V
GS
- V t . O transístor fica ligado, e um canal que é criado permite o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte. Como a t ensão de dreno é maior do que a tensão na porta, um a parte do canal é desligado. A criação dessa região é chamada de “pin