mosfet

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Aula16: Transistor Efeito de Campo - Princípios de Funcionamento
Bibliografia: Microeletrônica - Vol.1 Sedra e Smith e Eletrônica Vol 1 - Malvino Transistores Efeito de Campo O principio de funcionamento de um transistor efeito de campo está baseado na modulação da largura de um canal, portanto sua capacidade de corrente, por uma tensão aplicada. Desta forma transistores efeito de campo são dispositivos controlados por tensão ao contrario do transistor tradicional (transistor bipolar ou BJT – Bipolar Junction Transistor) que são controlados por corrente.
Existem basicamente dois tipos de transistor efeito de campo: MOSFET (Metal-Oxide-Semicondutor FET) também chamados de IGMOS (Insulated Gate MOS – Transistor MOS e o JFET (Junction FET) sendo que os primeiros são mais usados, principalmente em circuitos integrados e ultimamente como dispositivos de potencia. Cada tipo pode ser encontrado com duas polaridades: canal N e canal P. Existem muitas diferenças entre os transistores efeito de campo e o tradicional, sendo que as três principais são: Tipo de controle da corrente: no FET é por tensão no tradicional por corrente.
A impedância de entrada: no FET é muito alta (>1M) e no tradicional é baixa (devido à junção PN polarizada diretamente).
O tipo de portador: No FET é um tipo (elétron livre ou lacuna) no tradicional são elétron e lacuna.
Ganho de tensão: No FET é menor do que no BJT. Transistor Efeito de Campo de Junção A figura 1a mostra, de forma simplificada, a estrutura física de um transistor efeito de campo de junção canal N, a figura 1b a simbologia para canal N e a figura 1c para canal P. O dispositivo tem três terminais: O dreno (D) a fonte (S – Source em inglês ) e a porta (G – Gate em inglês). A dopagem da região da porta é muito maior do que a do canal, desta forma a região de depleção (região de carga espacial) será muito maior do lado do canal.