Igbt Scr

por um sinal externo e OFF dependendo do circuito de potência. Ex.: SCR(Retificador controlado de silício), TRIAC. * Chaves Controladas – os estados ON e OFF são controlados por sinal externo. Ex.:Transistor (BJT), MOSFET, IGBT, GTO. vANTAGEM SEMICONDUTOR UTILIZADO COMO CHAVE: Pequeno, custo baixo, alta eficiencia na utilização para o controle automatico de potencia. PRINCIPAIS TIPOS sEMICONDUTORES: *Diodo, Tbj, Fet, Mosfet, SCR... 5- TIRISTOR: O termo tiristor engloba uma família…

necessária uma rápida resposta dinâmica, tais como: ventiladores e bombas, guindastes, esteiras rolantes, accionamento de veículos pesados. Dada a alta potência envolvida, soluções topológicas que utilizam SCRs e GTOs (Gate Turn-Off Thyristors) são interessantes. No primeiro caso (SCRs) como a alimentação é em corrente contínua, faz-se necessário o uso de algum tipo de comutação forçada para permitir o desligamento dos tiristores. Com GTOs é possível utilizar técnicas do tipo…

150x = 8,3 x j b) A Perda de potencia na chave no estado ligado = x F = 8,3 x j x 25000 Hz =0,2 w 3.16 Uma chave IGBT controla a potencia para uma carga de 15 Ω. A fonte de tensão DC Vs = 440 v, VCE(sat) = 1,5 v, a frequência de chaveamento é de 2 Khz, ton=20 ns e o ciclo de trabalho é igual a 0,6 . Determine: a) O Valor nominal mínimo de corrente do IGBT ICmax = = = 29,2 A IC(avg) = IC(max) x d = 29,2 x 0,6 = 17,54 A b) A Perda de potencia no estado…

chaveado, tendo em comum uma estrutura de 4 camadas semicondutoras numa sequência n-p-n, apresentando um funcionamento bi estável. O tiristor de uso mais difundido é o SCR (Retificador Controlado de Silício), usualmente chamado simplesmente de tiristor. Outros componentes, no entanto, possuem basicamente uma mesma estrutura: LASCR (SCR ativado por luz), também chamado de LTT (Light TriggeredThyristor), TRIAC (tiristor triodo bidirecional), DIAC (tiristor díodo bidirecional), GTO…

........................................................................................... 13 5.1.4. Tiristor................................................................................................................. 14 5.1.4.1. SCR ............................................................................................................ 15 5.1.4.2. TRIAC ......................................................................................................... 16 5.1

............. 5 1.1.2.c. BJT Bipolar Junction Transistor .............................................................................. 6 1.1.2.d. MOSFETS Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors ........................... 7 1.1.2.e. IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor.................................................................. 7 GTO – Gate Turn-off Thyristor ............................................................................................. 8 Combinação típica

metal-oxide-semiconductor field-effect transistor - MOSFET; c) - static induction transistor - SIT; d) - insulated-gate bipolar transistor – IGBT IGBT: é um semicondutor de potência que alia as características de chaveamento dos transistores bipolares com a alta impedância dos MOSFETs apresentando baixa tensão de saturação e alta capacidade de corrente. O IGBT destaca-se por possuir alta eficiência e rápido chaveamento. Atualmente é muito utilizado em equipamentos modernos…

II. DESENVOLVIMENTO II.I SCR SCR (do inglês Silicon Controlled Rectifier - Retificador Controlado de Silício) é um componente eletrônico semicondutor de quatro camadas da família dos tiristores. Composto, geralmente, por três terminais, dois dos quais denominados anodo (A) e catodo (K), formam um diodo bipolar, e no terceiro terminal (que é usado para controle), denominado gatilho, se aplica um pulso que provoca o "disparo" do dispositivo. Quando o SCR opera como elemento retificador, seu

INVERSORES DE FREQUÊNCIA SUMÁRIO 1.INTRODUÇÃO 3 2.DESENVOLVIMENTO 4 2.1.APLICAÇÃO DO INVERSOR DE FREQUÊNCIA 4 2.2.FUNCIONAMENTO E CONSTITUIÇÃO 4 2.2.1.BLOCOS CONSTITUINTES 4/5 3.CONSTITUINTES 6 3.1.TIRISTOR 6/7 3.2.IGBT 7/8 4.CURVA V/F 8/9 4.1.INVERSOR VETORIAL E ESCALAR 10 5.CONCLUSÃO 11 6.REFERÊNCIAS BIBLIOGRAFICAS 12 1. INTRODUÇÃO O aumento da produção industrial exige motores com crescente robustez e…

Princípios Básicos O avanço da Eletrônica de Potência permitiu o desenvolvimento de conversores de freqüência com dispositivos de estado sólido, inicialmente com tiristores e atualmente estamos na fase dos transistores, mais especificamente IGBT, onde sua denominação é transistor bipolar de porta isolada .Os ciclo conversores antecederam de certa forma os atuais inversores, eles eram utilizados para converter 60Hz da rede em uma freqüência mais baixa, era uma conversão CA-CA, já…