Transistor Jfet

1.1.JFET
Na Figura abaixo, é mostrada a estrutura e símbolo de um transistor de efeito de campo de junção ou simplesmente JFET.

a condução se dá pela passagem de portadores de carga da fonte (S - Source) para o dreno (D), através do canal entre os elementos da porta (G - Gate). O transistor pode ser um dispositivo com canal n (condução por elétrons) ou com canal p (condução por lacunas). Tudo que for dito sobre o dispositivo com canal n se aplica ao com canal p com sinais opostos de tensão e corrente.
1.1.1.Polarização de um JFET
A Figura a seguir mostra a polarização convencional de um JFET com canal n. Uma alimentação positiva VDD é ligada entre o dreno e a fonte, estabelecendo um fluxo de corrente através do canal. Esta corrente também depende da largura do canal.
Uma ligação negativa VGG é ligada entre a porta e a fonte. Com isto a porta fica com uma polarização reversa, circulando apenas uma corrente de fuga e, portanto, uma alta impedância entre a porta e a fonte. A polarização reversa cria camadas de depleção em volta da regiões p e isto estreita o canal condutor (D-S). Quanto mais negativa a tensão VGG, mais estreito torna-se o canal.

Para um dado VGG , as camadas de depleção tocam-se e o canal condutor (D-S) desaparece. Neste caso, a corrente de dreno está cortada. A tensão VGG que produz o corte é simbolizada por VGS(Off) .
1.1.1.1.Curva Característica de Dreno
Para um valor constante de VGS, o JFET age como um dispositivo resistivo linear (na região ôhmica) até atingir a condição de pinçamento ou estrangulamento. Acima da condição de estrangulamento e antes da ruptura por avalanche, a corrente de dreno permanece aproximadamente constante.
Os índices IDSS referem-se a corrente do dreno para a fonte com a porta em curto (VGS=0V). IDSS é a corrente de dreno máxima que um JFET pode produzir. Na Figura 7-3, é mostrado um exemplo de curva para um JFET. Quando o JFET está saturado (na região ôhmica), VDS situa-se entre 0 e 4V, dependendo da reta