eletronica

Trabalho de Eletrônica

Nome:Alesi,Bruno
Turma:S

INTRODUÇAO

JFET, é um dispositivo de três terminais utilizado em várias aplicações, como: pré-amplificador de vídeo para câmeras de TV, estágios amplificadores de RF para receptores de comunicações, instrumentos de medição, etc. e que realiza muitas das funções do transistor bipolar de junção (BJT), embora que haja diferenças importantes entre os dois dispositivos.o JFET é um dispositivo unipolar, ou seja, depende somente da condução realizada por elétrons ou lacunas. O JFET
A construção de um JFET na prática é bastante complicada, pois é necessária uma tecnologia de dopagem nos dois lados de um substrato de semicondutor tipo P ou tipo N.
O JFET é formado por um estreito canal semicondutor tipo P ou N em cujas extremidades são feitos contatos denominados de Dreno(D), de onde as cargas elétricas saem, e Fonte(S), por onde as cargas elétricas entram. O terminal Gate(G) é que faz o controle da passagem das cargas.
A polarização do JFET é diferente do BJT. Num transistor bipolar polarizamos diretamente o diodo base-emissor, porém, em um JFET, sempre polarizamos reversamente o diodo porta-fonte. Essa polarização reversa na porta faz com que aumente a região de depleção, diminuindo a largura do canal e dificultando assim a passagem de corrente entre dreno e fonte. Quanto mais negativafor à tensão da porta, mais apertado é o canal, portanto a tensão da porta controla a corrente.

– Curva de Dreno JFET tipo n
Para um valor constante deV , o JFET age como um dispositivo resistivo linear (na região ôhmica) até atingir a condição de pinçamento ou estrangulamento.
Acima da condição de estrangulamento e antes da ruptura por avalanche, a corrente de dreno permanece aproximadamente constante.
Os índices I referem-se à corrente do dreno para a fonte com a porta em curto (V =0V). I é a corrente de dreno máxima que um JFET pode