JFET- Transistor de campo

Aula 01
JFET – Transistor de
Efeito de Campo
(pág. 174 a 179)

Prof. Dr. Aparecido Nicolett
PUC-SP

Slide 1

Construção e Características do JFET

•

Dispositivo de três terminais.

•

Aplicado em circuitos muito semelhantes aos que utilizam o TBJ.

IE

•

TBJ: controlado por corrente (IC = f(IB))

•

FET: controlado por tensão (ID = f(VGS))

TBJ x FET

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Características

TBJ

FET

Impedância de entrada

<

>

Sensibilidade à temperatura >

<

Controle de corrente de saída.

>

<

Ganho de tensão

>

<

Estabilidade

<

>

Tamanho

>

<

Slide 3

•

Construção do JFET

Existem dois tipos de JFETs: canal N e canal P. O do tipo canal N é mais utilizado.

Slide 4

Analogia de funcionamento

Slide 5

JFET (canal N) com polarização
VD > VS
VGS = 0 V
VDS > 0 V
ID = IS ≠ 0 A

•

O fluxo de carga entre fonte e dreno é relativamente irrestrito e limitado somente pela resistência do canal N.

•

A região de depleção é mais larga próximo do dreno, pois a polarização reversa dreno/porta é maior que a polarização reversa porta/fonte.

Slide 6
•

Admitindo uma resistência uniforme do canal N, a variação dos potenciais reversos podem ser observados na figura. •

Próximo à fonte, a queda de tensão é menor (menor resistência) e próximo do dreno, a queda de tensão é maior
(maior resistência).

•

Como a junção PN está sempre polarizada reversamente, a corrente de porta IG é sempre zero (IG = 0
A)

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IDS x VDS (VGS = 0 V)
Região de Saturação

Região de
Triodo

Região de Corte

Slide 8

Pinçamento – “Pinch-off”
•

Apesar do estrangulamento, ID ≠ 0 A.
Os portadores passam através da região de depleção. Nesta condição, IDS passa a ser constante (IDS = cte na saturação).
VDS ↑ → Rch ↑→ IDS = cte, característica de uma fonte de corrente.

Obs.: IDSS é a corrente máxima de ID, definida na condição de VGS = 0V e