JFET

JFET

ELETRÔNICA DIGITAL
24/03/2015

JFET Neste trabalho, o JFET será apresentado. Possui 3 terminais e muito utilizado para substituir o TBJ (Transistor Bipolar de Junção).

fonte: http://www.electronicshub.org/field-effect-transistor-fet/ Dentre várias características, podemos citar: alta taxa de impedância na entrada, são unipolares porque necessitam apenas de um tipo de carga, baixa sensibilidade à temperatura,não se pode controlar a corrente de saída, tem baixo ganho de tensão se comparado ao TBJ, maior estabilidade e seu tamanho é bem compacto. Abaixo, tem-se os efeitos de campo de um JFET.

fonte: http://www.radiopoint.com.br/fet.htm Para que o transistor conduza, S (também chamado de SOURCE) é responsável pelo transporte de carga até o Dreno através do GATE. Tem dois tipos de transistor: tipo N no qual a condução ocorre pela passagem de elétrons e a P, por lacunas. No circuito abaixo tem-se uma amostra da polarização do JFET.

fonte: http://www.radiopoint.com.br/fet.htm Fazendo a analogia, temos a fonte variável reversa VGS, ela controla a corrente representada no ID. Quando curto-circuitamos essa fonte, tendo assim fonte =0v, o canal N do transistor está normalmente abertp,a barreira de potência é baixa, fazendo circular uma corrente máxima chamada de IDSS. Ao aumentar VGS, a barreira de potencial terá sua largura aumentada e supostamente, a área de condução irá diminuir e consequentemente, a corrente do DRENO também se tornará baixa. O campo elétrico entre a porta e o supridouro irá repelir os elétrons e a corrente do centro irá diminuir. Edde efeito é conhecido como efeito de campo. A maior tensão reversa em VGS, a corrente de dreno irá diminuir, ou seja, inversamente proporcional, se VDS fixa. A corrente poderá chegar em um ponto no qual se tornará completamente desprezível. Se VGS for constante, o transistor se comporta como resistivo linear em sua região ôhmica, até chegar