Eletrônica - jfets

OBJETIVO: - Analisar as características dos transistores de efeito de campo (JFET’s).
- Estudar os diferentes modos de polarização dos transistores FET’s.
- Verificar e medir os principais parâmetros.
- Levantar a curva de transcondutância dos transistores unipolares e compará-la com a curva disponível no datasheet do dispositivo.

INTRODUÇÃO:

O transistor JFET possui uma altíssima impedância de entrada, devido à polarização reversa do “diodo” porta-fonte. A corrente que circula por estes terminais é idealmente zero, motivo pelo qual o JFET é um dispositivo controlado por tensão, e não por corrente como são os transistores bipolares. A impedância de entrada de um JFET pode chegar a centenas de mega-ohms, portanto, é preferível utilizar JFET’s para aplicações onde são necessárias altas impedâncias de entrada. No entanto, a alta impedância de entrada faz com que o ganho de tensão não possa ser tão grande como no transistor bipolar.
Outra característica importante é a não linearidade da curva de transcondutância (Lei quadrática), que provoca distorções em sinais de amplitudes grandes. Estes tipos de distorções são conhecidas por “Distorções da Lei Quadrática” e, em algumas aplicações, resultam vantajosas, por exemplo, em misturadores de freqüências, mas, normalmente, para amplificadores lineares a distorção é altamente indesejável.
A baixa impedância de saída também é outra das características vantajosas do JFET. Em suma, todas as vantagens e desvantagens definem qual o tipo de transistor que deve ser utilizado para um determinado tipo de aplicação. Na maioria dos casos, ainda o transistor bipolar é o mais adequado para operar como amplificador de sinais, principalmente em baixas freqüências e para potências elevadas.

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PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL:

MATERIAL NECESSÁRIO: - Módulo universal 2000,
- Placa de experiências CEB 05,
- Osciloscópio,
- Multímetro (digital ou analógico),
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