Tecnologia mos

OS CIRCUITOS INTEGRADOS CMOS

CMOS significa Complementary Metal-Oxide Semicondutor e se refere a um tipo de tecnologia que utiliza transistores de efeito de campo ou Field Effect Transistor (FET) em lugar dos transistores bipolares comuns (como nos circuitos TTL) na elaboração dos circuitos integrados digitais.
Existem vantagens e desvantagens no uso de transistores de efeito de campo, mas os fabricantes conseguem pouco a pouco eliminar as diferenças existentes entre as duas famílias com o desenvolvimento de tecnologias de fabricação, aumentando ainda a sua velocidade e reduzindo seu consumo. De uma forma geral, podemos dizer que existem aplicações em que é mais vantajoso usar um tipo e aplicações em que o outro tipo é melhor.
Os transistores de efeito de campo usados nos circuitos integrados CMOS ou MOSFETs têm a estrutura básica mostrada na figura 1 onde também aparece seu símbolo.

Figura01

Conforme podemos ver, o eletrodo de controle é a comporta ou gate (g) onde se aplica o sinal que deve ser amplificado ou usado para chavear o circuito. O transistor é polarizado de modo a haver uma tensão entre a fonte ou source (s) e o dreno ou drain (d). Fazendo uma analogia com o transistor bipolar, podemos dizer que a comporta do MOSFET equivale à base do transistor bipolar, enquanto que o dreno equivale ao coletor e a fonte ao emissor, figura 2.

Figura02

Observe que entre o eletrodo de comporta, que consiste numa placa de alumínio e a parte que forma o substrato ou canal por onde passa a corrente, não existe contato elétrico e nem junção, mas sim uma finíssima camada de óxido de alumínio ou óxido metálico, que dá nome ao dispositivo (metal-oxide).
A polaridade do material semicondutor usado no canal, que é a parte do transistor por onde circula a corrente controlada, determina seu tipo e também a polaridade da tensão que a controla.
Assim, encontramos na prática transistores de efeito de campo tipo MOS de canal N e transistores de efeito de