A
2391 palavras
10 páginas
Escola Superior de Ciências NáuticasDepartamento de Rádio
Engenharia Electrónica e Telecomunicações
Cadeira:
Turma: 3R/12 – Diurno
Discentes:
Docente:
Bacar Muhorro
Engº. Elso Guilengue
Helénio Lewane
Luís Maria Marcos
Olinda Matola
Paulo Pedro Ubisse
Vânia Helena A. Brito
Maputo, Outubro de 2014
ÍNDICE
1
INTRODUÇÃO ...................................................................................................................... 2
2
OBJECTIVOS......................................................................................................................... 2
3
4
5
2.1
Objectivo geral ................................................................................................................. 2
2.2
Objectivos específicos ...................................................................................................... 2
TECNOLOGIAS DE CIRCUITOS INTEGRADOS.............................................................. 3
3.1
Bipolar .............................................................................................................................. 3
3.2
MOS (Metal-Oxide Semiconductor) ................................................................................ 3
CATEGORIAS DE MEMÓRIAS .......................................................................................... 4
4.1
Significado da letra K nas memórias ................................................................................ 4
4.2
Memorias estáticas e dinâmicas ....................................................................................... 5
MEMÓRIAS ........................................................................................................................... 6
5.1
Classificação das Memórias ............................................................................................. 6
5.1.1
RAM (Random Access Memory) ............................................................................. 6
5.1.2
ROM ( Read