Estudante

Transistores
O Transístor de Junção Bipolar, TJB (BJT), é um dispositivo Semicondutor, composto por três Regiões de Semicondutores dopados (Base, Colector e Emissor), separadas por duas Junções p-n, Figura 1. A Junção p-n entre a Base e o Emissor tem uma Tensão de Barreira (V0) de 0,6 V, que é um parâmetro importante do TJB (BJT). Contrariamente ao Transístor de Efeito de Campo, TEC (FET), no qual a Corrente é produzida apenas por um único tipo de Portador de Cargas (Electrões ou Lacunas), no TJB (BJT) a Corrente é produzida por ambos os tipos de Portadores de Cargas (Electrões e Lacunas), daí a origem do nome Bipolar. Figura 1: Transístor de Junção Bipolar
Existem dois Tipos de TsJB (BJTs): npn e pnp. O Tipo npn consiste em duas Regiões n separadas por uma Região p. O Tipo pnp consiste em duas Regiões p separadas por uma Região n. As Figuras 2 e 3 representam os seus respectivos símbolos esquemáticos. A explicação seguinte refere-se ao TJB (BJT) npn, que é utilizado nesta Demonstração. Figura 2: Símbolo esquemático de um TJB, npn Figura 3: Símbolo esquemático de um TJB, pnp
O TJB (BJT) opera em três modos diferentes: modo de Corte, modo de Amplificação Linear e modo de Saturação, Figura 4. A Tabela 1 é um sumário dos três modos de operação do TJB (BJT) npn. Figura 4: Curvas Características IC-VCE de um TJB npn
Os TJB (BJT) são muito importantes no mundo da electrónica. São bastante utilizados em outras Demonstrações, especialmente como Amplificadores, nos circuitos analógicos, e como Interruptores Electrónicos, nos circuitos digitais.

CÁLCULO DAS CORRENTES
As correntes de deriva devidas aos portadores minoritários gerados termicamente são pequenas e desprezadas na análise. A polarização direta da junção emissor-base fará com que uma corrente circule pela junção composta de 2 componentes: elétrons injetados no emissor e lacunas injetadas na base (SEDRA, 2000).
A componente de elétrons é muito maior que a de lacunas, isto é obtido