Push Pull

Universidade Federal de Santa Maria
Centro de Tecnologia – Curso de Engenharia Elétrica (303)

ELC 1102/1116 – Dispositivos e Circuitos Eletrônicos II
Terceira Atividade Prática
Nome: Gabriel Ávila Saccol
Atividade 4 – Projeto e implementação de estágio de saída com TBJ.
1.1 Procedimento
a) Especificações
Especificação

V

RCARGA

P(W)

T

AVmin

Transistores

Valor

±9

12 Ω

2,6 W

35

320

Tip41/TIP42

b) Procedimento de projeto:
Muitas vezes, se fazem necessários circuitos que apresentem um bom desempenho, para níveis desejados de impedância de entrada e de saída. É o caso de alguns tipos de circuitos lógicos e alguns tipos de amplificadores.
Um tipo de circuito que apresenta uma baixa impedância de saída, e é capaz de operar mesmo com altas cargas, é o circuito push-pull, representado na figura 1. A partir da análise da figura, é possível afirmar que, se Vin for suficientemente positivo, o transistor Q1 opera como seguidor emissor, enquanto o transistor Q2 se mantém em estado desligado.
Por simetria, se Vin é suficientemente negativo, o inverso ocorre, com Q1 no estado desligado e Q2 atuando como seguidor emissor. É comum dizer que o transistor Q1 empurra corrente para RL, enquanto Q2 drena a corrente de RL.

Figura 1 - Circuito push-pull.

Como Q1 e Q2 não podem operar de forma simultânea, as condições descritas a seguir devem ser satisfeitas, para que os transistores sejam capazes de operar.

 ParaQ1 , Vin  Vout

 Para Q2 , Vin  Vout

(1)

Além disso, se a tensão de entrada Vin for igual a zero, a tensão de saída Vout também o será. Deve ser ressaltado que, para que Q1 atinja o estado ligado, a tensão VBE deve estar entre, aproximadamente, 700 mV. Dessa forma, a tensão de saída permanece em zero para uma tensão de entrada menor que 700 mV, caracterizando uma faixa denominada “zona morta” do estágio push pull. Esse mesmo problema também ocorre para o transistor Q2 e está representado na gráfico abaixo.

Vout

Q1
Ligado
V in

Q2
Ligado

Figura 2 -