Memória

Universidade Estadual do Piauí – UESPI
Curso: Ciência da Computação
Disciplina: Circuitos Digitais Bloco: 4
Aluno(s): Anderson William, Henrique

Memória Principal

Parnaíba, 3 de julho de 2012. Memória

Na sequência do estudo de Fli-Flops, como elementos básicos de memória de 1 bit, e de registradores como elementos capazes de armazenar 1 palavra de N bits, surge, naturalmente, a necessidade de elementos que permitam o armazenamento conjuntos de K palavras de N bits. Esses elementos designam-se por memórias.

Memória De Acesso Randômico (RAM – Random Access Memory)
Uma memória RAM é organizada como uma matriz de 2n linhas com m bits armazenados em cada linha, perfazendo um total de 2n x m bits. Em geral, n está entre 16 e 32, enquanto que m podem ser 1, 4, 8, 16 ou 32. Note que existem 2n linhas, também chamadas posições. A cada posição é associado um endereço, iniciando pelo endereço 0 (zero). Portanto, são necessários n bits para decodificar os 2n endereços existentes.

Suponha que se deseje fabricar num único chip (circuito integrado) uma memória RAM capaz de armazenar 2n x m bits. Este chip deverá possuir n entradas de endereço (An-1, …, A1,A0), de modo a se poder selecionar uma (e somente uma) dentre todas as 2n posições existentes na matriz. Este chip também deverá conter m entradas (In-1, .., I1,I0), e m saídas (On-1,.., O1,O0), de modo a permitir a leitura (= consulta) do conteúdo de uma das 2n linhas ou a escrita (= gravação) de uma nova informação numa das 2n linhas da matriz. Como existem duas operações possíveis sobre o conteúdo da matriz (leitura e escrita), é natural que deva existir uma entrada de seleção de operação. Esta entrada será denominada RWS (Read/Write Select). Quando RWS=0, a operação a ser realizada será a leitura, RWS=1, a operação a ser realizada será a escrita.

Modelo Lógico da Estrutura Base