Lista de Analógica Semicondutores
O processo de dopagem refere-se à adição de impurezas adequadas, onde afeta o comportamento do semicondutor de forma requerida. O silício transforma-se a medida que é acrescentada uma quantidade de átomo de um material pentavalente, as impurezas, que fazem quatro ligações covalentes com seus átomos vizinhos.
2) Em que semicondutor as lacunas e elétrons livres são portadores minoritários? E majoritários?
Quando o número de elétrons livres for maior que número de lacunas, os elétrons livres são majoritários e as lacunas são portadores minoritários. Ou seja, no tipo P são minoritários e no N são majoritários.
3) O que é barreira de potencial e qual o seu valor para os diodos de silício e germânio?
A barreira de potencial acontece à medida que os átomos do material tipo P próximos a junção recebem os primeiros elétrons preenchendo suas lacunas, no lado N forma-se uma região com íons positivos (falta de elétrons) e, no lado P, uma região com íons negativos (excesso de elétrons), dificultando ainda mais a passagem de elétrons do material tipo N para o material tipo P. Assim, a partir de um certo momento, este fluxo de elétrons cessa e esta região ionizada (camada de depleção) fica com ausência de elétrons e lacunas que são responsáveis pela corrente elétrica, o símbolo é VƔ e o valor do silício é 0,7v e para o germânio temos 0,3v.
4) Explique quais são as principais especificações em c.c. do diodo semicondutor, destacando-as na sua curva característica.
Na polarização direta só existe corrente elétrica se a tensão aplicada ao diodo for maior que a barreira de potencial (VƔ).
Quando polarizado diretamente, o diodo limita-se tanto pela corrente direta máxima como pela tensão direta máxima. Já polarizado reversamente, o diodo é limitado pela corrente e pela tensão reversa máxima.
Quando polarizado reversamente haverá uma pequena corrente denominada de