Eletronica aplicada

EN 2709 – ELETRÔNICA APLICADA

Atividade Prática 1

Alunos:
GIOVANNI PAROLARI DA CUNHA 11036809
PEDRO MINORU SAKAGUCHI 11160209
RENAN DA SILVA TCHILIAN 11018309

Professor de Teoria:
Dr. Carlos Alberto Reis

Professor de Laboratório:
Dr. Carlos Eduardo Capovilla

Santo André, 16 de Fevereiro de 2012

* OBJETIVO
Obter os pontos de operação de Id, Vds e Vgs de um transistor MOS-N e traçar as curvas IdxVds correspondentes e parametrizadas por Vgs. Obter a figura de Lissajous para diferentes valores de Vgs. Construir um circuito conhecido como espelho de corrente com dois transistores MOS de canal – P e determinar a resistência Rext de modo que a corrente de dreno possa ser ajustada quando a tensão Vext variar.

* RESUMO
O experimento realizado mostra o comportamento dos transistores conforme a aplicação de tensão, e do circuito de espelho de corrente. Os resultados obtidos mostram que a corrente nos transistores dependem dos valores fixados em Vgs e que a alteração de Vds em nada influiu após a saturação. Já nos circuitos de corrente foram obtidos valores muito próximos em M1 e M2 apresentando diferenças de 10%-15%.

* INTRODUÇÃO

O circuito CMOS funciona a partir de uma entrada Vi aplicada a ambas as portas com a saída tomada do dreno, que está conectado a ambos. Tanto para o transistor do tipo n, quanto o transistor do tipo p o funcionamento se dá de forma igual [1].
Inicialmente com 0V, aplicado entre a porta e a fonte observa-se que não há uma corrente no dreno. Essa corrente será inexistente até que Vgs seja elevado além do nível limiar do dispositivo, Vt, para que então surja uma corrente. Nota-se então que a corrente de dreno observada é independente da tensão de dreno Vds e é determinada pela tensão Vgs. Assim, o dispositivo comporta-se como uma fonte de corrente cujo valor é controlado pela tensão Vgs. [1]
A figura 1 mostra o comportamento da corrente de dreno pela tensão aplicada:

Figura 1 – Características do