Eletronica Aplicada

Universidade Federal do ABC

EN2720 - Eletrônica Analógica Aplicada

Aula prática 1
Caracterização de Transistores MOS

Professor Dr. Carlos Alberto dos Reis Filho

GRUPO 3
Eduardo Bernardino de Oliveira RA: 11026309
Fernando Faggi RA: 11023406
Mario Filiage S. Filho RA: 11026107

Santo André, março 2014

Índice

1 – Introdução..................................................................................................................................3
2 – Objetivos....................................................................................................................................4
3 - Materiais Utilizados....................................................................................................................4
4 - Procedimento Experimental e Resultados..................................................................................5
5 – Conclusão.................................................................................................................................15
6 – Bibliografia..............................................................................................................................16

1 - Introdução O transistor de efeito de campo, abreviado por FET (direto do inglês, Field-Effrect Transistor), é um dispositivo de três terminais, utilizado em várias aplicações e que realiza, em larga escala, muitas das funções do TBJ. O FET é um dispositivo controlado por tensão, onde a corrente Id é a função da tensão Vgs aplicada do circuito de entrada. Os transistores FET existem de canal n e p, e são dispositivos unipolares, dependendo somente da condução realizada por elétrons (n) ou buracos (p). Os MOSFETs (Transistores de efeito de campo metal-óxido-semicondutor) subdividem-se em tipo depleção e tipo intensificação. Os termos depleção e intensificação definem os seus