Dispositivos eletrónicos

Dispositivos Electrónicos – LEET

Característica I(V) do díodo 1N4148

Relatório do trabalho prático nº 1

Elaborado por: Beto André Fernandes da Silva Diogo Marco Fernandes Gouveia
10/03/2011
Índice

Pág.
Resumo……………………………………………….…………………………………3
Introdução teórica……………………….………………………………………...4
Procedimento……………………………………………….……….……………….7
Análise de resultados…………………………………..……………………..…..8
Simulação…………………………………………………..……………..….………18
Conclusão……………………………………………………………………………..19
Bibliografia………………………………………..………………………………….20

Resumo

Este trabalho prático laboratorial tem como principal objectivo analisar a curva característica I(V) do díodo 1n4148. Para isso, comparou-se as curvas características obtidas através da análise teórica, simulação e laboratorial. Observou-se também a curva característica através do osciloscópio.

Antes da realização desta tarefa prática recorreu-se à folha de característica do díodo 1n4148 e registou-se alguns parâmetros, nomeadamente a máxima tensão de polarização inversa, o valor máximo da corrente directa do díodo e a tensão máxima de polarização directa.

Com base da Figura 4 da folha de característica do díodo 4148 retirou-se também dois valores de corrente e de tensão de forma a determinar o valor de n e Is.

O software utilizado para a simulação do circuito de forma a comparar os dados teóricos e experimentais foi o Multisim.

As curvas características obtidas através dos dados experimentais e da simulação foram semelhantes à curva teórica do díodo.

Introdução teórica

O elemento não linear ( não obedece à lei de ohm) mais simples é o díodo. Este dispositivo é constituído por uma junção de dois semicondutores, geralmente silício e germânio, como ilustra a Figura 1. Aos terminais A e K dá-se a designação de Ânodo (terminal positivo) e Cátodo (terminal negativo).

Figura 1 - Símbolo do díodo.

Um díodo só permite a passagem de corrente apenas quando a