Atps de eletrônica de potência

FACULDADE ANHANGUERA DE TAUBATÉ

Eletronica de Potência

Engenharia Elétrica – 7o. semestre

Clarine Alves Pereira, | 0919440139 | Danilo Rodrigo Mattos, | 0930427960 | Erick Walker Cazari Casagrande, | 0901343063 | Ivan José de Oliveira Toledo, | 0901358866 | José Valter do Rosário | 0901367320 |

Taubaté
2012

Diodo
Um diodo semicondutor é um componente que, dentro de seus limites, permite a passagem de corrente em um único sentido, são fabricados de silício ou germânio, dopados com impurezas do tipo N(fósforo ou arsênico) ou P (boro ou gálio), formando assim uma junção P-N (figura 1). Em sua maioria os diodos são construídos com silício, pois podem operar com correntes maiores e temperatura mais altas alem de possuir uma resistência reversa maior.

Figura 1

O diodo possui dois terminais: ânodo A (na junção P) e um terminal cátodo K (Na junção N). Quando a tensão no ânodo é mais positiva do que a no cátodo, diz-se que o diodo está diretamente polarizado e permite a condução de corrente com uma queda de tenção relativamente pequena em seus terminais. Quando a tensão no cátodo é mais positiva do que a no ânodo, diz-se que o diodo está inversamente polarizado e, assim, bloqueia o fluxo de corrente. A flecha no símbolo de diodo mostra a direção da corrente convencional quando há condução (figura 2).

Figura 2

Diodos de Potência
A estrutura interna difere um pouco dos diodos comuns para os diodos de potência, isto por eles apresentarem uma região N intermediária a mais, com baixa dopagem. O papel desta região é permitir ao componente suportar tensões mais elevadas, pois tornará menor o campo elétrico na região de transição (que será mais larga, para manter o equilíbrio de carga). Esta região de pequena densidade de dopante dará ao diodo uma significativa característica resistiva quando em condução, a qual se torna mais significativa quanto maior for a tensão suportável pelo componente (figura 3).
As camadas que