Análise de Dois Amplificadores com tBJ
Transistores Bipolares de Junção
Francisco Sousa de Oliveira Neto
Universidade Federal do Ceará – UFC
Centro de Tecnologia – CT
Departamento de Engenharia Elétrica – DEE fsoneto@yahoo.com Resumo Neste artigo é feita a análise CC e CA de dois circuitos amplificadores com transistores bipolares de junção
(TBJ). A partir de alguns parâmetros especificados para o TBJ
BC546A, os componentes necessários para a polarização na região ativa foram determinados. A partir disso, utiliza-se o software ORCAD para fazer as simulações e observar as formas de onda, para uma dada resistência de carga.
Palavras-chave Transistor, amplificador, região ativa.
para polarização do TBJ (R1, R2, RC, RE), capacitores de acoplamento CA (C1, C2 e C3) e uma carga representada pelo resistor .
R1
C2
Um transistor é um dispositivo semicondutor que possui duas camadas de material tipo n e uma do tipo p (npn) ou duas camadas de material tipo p e uma do tipo n (pnp). O tipo npn é o mais utilizado e será o abordado neste trabalho.
Em cada uma das três regiões semicondutoras é conectado um terminal: emissor (E), base (B) e coletor (C).
Dessa forma, o transistor possui duas junções pn: a junção base-emissor JBE e junção coletor-base JCB.
O modo de operação do transistor bipolar de junção, doravante denominado TBJ, vai depender do tipo de polarização de cada uma das junções. Assim, para o tipo npn, se a JBE estiver polarizada reversamente e JCB também, então o TBJ estará no modo de corte. Se ambas as junções estiverem diretamente polarizadas o TBJ apresentará o modo de saturação, podendo atuar como chave em diversas aplicações. Já no caso desse dispositivo ter sua junção baseemissor JBE diretamente polarizada e junção coletor-base JCB reversamente polarizada, o TBJ estará modo ativo, podendo ser utilizado na amplificação de sinais.
Neste artigo é feita a análise CC e CA(apenas qualitativa) de dois circuitos