Revisão bibliográfica JFET

TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO – JFET

O transistor de efeito de campo, abreviado por JFET (Field-EFfect Transistor) é um dispositivo de três terminais, utilizado em várias aplicações, como: pré-amplificador de vídeo para câmeras de TV, estágios amplificadores de RF para receptores de comunicações, instrumentos de medição, etc. e que realiza muitas das funções do TBJ, embora que haja diferenças importantes entre os dois dispositivos.
A diferença fundamental entre os dois tipos de transistores é o fato de que o TBJ é um dispositivo controlado a corrente, enquanto o JFET é um dispositivo controlado por tensão. Em outras palavras, a corrente IC do TBJ é função direta do nível IB e para o JFET, a corrente ID será função direta da tensão VGS aplicada ao circuito de entrada. Note que em ambos os caso a corrente de saída está sendo controlado por algum parâmetro de circuito de entrada - em um caso, o nível de corrente, e no outro, a tensão aplicada.

Figura 1: Transistores bipolar e efeito de campo – formas de controle

Assim como existem transistores npn e pnp, existem transistores de efeito de campo de canal n e canal p. Entretanto, é importante observar que o TBJ é um dispositivo bipolar, enquanto que o JFET é um dispositivo unipolar, dependendo somente da condução realizada por elétrons (canal n) ou lacunas (canal p).
Uma das características mais importantes do FET é a alta impedância de entrada, com valores maiores que 1M. Esta característica é muito relevante no projeto de amplificadores lineares. Por outro lado o TBJ apresenta maior sensibilidade às variações do sinal aplicado. Em outras palavras as variações de corrente de saída são tipicamente maiores para os TBJs do que para os FETs, para uma mesma variação do sinal de entrada, por isso que os ganhos de tensão dos amplificadores adquiridos com a utilização dos TBJs são superiores que aos ganhos de tensão adquiridos com a utilização de amplificadores com FETs. Em geral os FETs são