Gap Insb

tornaram possível o advento dos circuitos integrados, que revolucionaram as indústrias eletrônica e de computadores nas últimas duas décadas. Os semicondutores podem ser elementos semi-metálicos puros como o silício e o germânio ou compostos como GaP, GaAs e InSb. Os materiais supercondutores apresentam resistência elétrica desprezível abaixo de uma certa temperatura, denominada temperatura crítica. Eles podem ser tanto materiais metálicos como materiais cerâmicos. Os melhores…

Moré(CH Farias Ligação covalente direcional: ocorre entre átomos específicos Materiais – Moléculas elementares (H2, Cl2, F2) ou com átomos diferentes (CH4, H2O, HNO3, HF) – Sólidos elementares (diamante, silício, germânio) e compostos (GaAs, InSb, SiC) Ligações covalentes – Muito fortes (diamante, duro Tf elevada (~ 3550oC) – Muito fracas (Bi, Tf ~ 270oC MAM0411 - Ciência dos Materiais 72 18 02/03/2012 Na ligação metálica os elétrons de valência forma uma…

semicondutores tradicionais e b) semicondutores mais recentes. Tabela 8.1 Materiais semicondutores Classificação Exemplos Elementares Compostos III-V Binários Ternários Quaternários Binários Ternários Si, Ge GaAs, InP, GaSb, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, InAs, InSb AlXGa1-XAs, InXGa1-XP, GaAsXP1-X, InXGa1-XAsYP1-Y ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS HgXCd1-XTe Compostos II-VI Nota: Os índices X e Y representam frações estequiométricas variando de 0 a 1. Por exemplo, o composto…

CuBr CuI AgI BeS BeSe a(Å) 4,26 5,41 5,69 6,04 6,47 4,85 5,07 Cristal BeTe MnS MnSe ZnS ZnSe ZnTe CdS a(Å) 5,54 5,60 5,82 5,41 5,67 6,09 5,82 Cristal CdTe HgS HgSe HgTe AlP AlAs AlSb a(Å) 6,48 5,85 6,08 6,43 5,45 5,62 6,13 Cristal GaP GaAs GaSb InP InAs InSb SiC a(Å) 5,45 5,65 6,12 5,87 6,04 6,48 4,35 (c) Estrutura hcp (hexagonal close-packed). A estrutura hcp é uma das mais frequentes formas de cristalização dos metais. É formada por uma rede de Bravais hexagonal, com vetores…

x 100 = 63.2% For ZnTe, X Zn = 1.6 and X Te = 2.1, and therefore, %IC = 1 - e(-0.25)(2.1 - 1.6) [ 2 ] x 100 = 6.1% For CsCl, X Cs = 0.7 and X Cl = 3.0, and therefore, %IC = 1 - e(-0.25)(3.0 - 0.7) [ 2 ] x 100 = 73.4% For InSb, X In = 1.7 and X Sb = 1.9, and therefore, 7 %IC = 1 - e(-0.25)(1.9 - 1.7) [ 2 ] x 100 = 1.0% For MgCl2, X Mg = 1.2 and X Cl = 3.0, and therefore, %IC = 1 - e(-0.25)(3.0 - 1.2) [ 2 ] x 100 = 55.5% 2.20 Below…

5 - 1.5) 2 ] x 100 = 63.2% For ZnTe, X Zn = 1.6 and X Te = 2.1, and therefore, [ %IC = 1 - e(-0.25)(2.1 - 1.6) 2 ] x 100 = 6.1% For CsCl, X Cs = 0.7 and X Cl = 3.0, and therefore, [ %IC = 1 - e(-0.25)(3.0 - 0.7) For InSb, X In = 1.7 and X Sb = 1.9, and therefore, 7 2 ] x 100 = 73.4% [ %IC = 1 - e(-0.25)(1.9 - 1.7) 2 ] x 100 = 1.0% For MgCl2, X Mg = 1.2 and X Cl = 3.0, and therefore, [ %IC = 1 - e(-0.25)(3.0 - 1.2) 2 ]…

x 100 = 63.2% For ZnTe, X Zn = 1.6 and X Te = 2.1, and therefore, %IC = 1 - e(-0.25)(2.1 - 1.6) [ 2 ] x 100 = 6.1% For CsCl, X Cs = 0.7 and X Cl = 3.0, and therefore, %IC = 1 - e(-0.25)(3.0 - 0.7) [ 2 ] x 100 = 73.4% For InSb, X In = 1.7 and X Sb = 1.9, and therefore, 7 %IC = 1 - e(-0.25)(1.9 - 1.7) [ 2 ] x 100 = 1.0% For MgCl2, X Mg = 1.2 and X Cl = 3.0, and therefore, %IC = 1 - e(-0.25)(3.0 - 1.2) [ 2 ] x 100 = 55.5% 2.20 Below…

de condução parcialmente preenchida), enquanto a figura 4b é típica de um metal bivalente, como o magnésio (sobreposição das bandas de condução). Nas figuras 4c e 4d pode-se observar a presença de uma banda proibida, cuja largura (Eg; “energy band gap”) é muito maior para um isolante do que para um semicondutor. Os metais apresentam alta condutividade elétrica porque suas bandas de energia só são parcialmente preenchidas. Como existem estados de energia vazios adjacentes aos estados…

Material Tipo de Recombinação Largura de Banda proibida Eg (eV) Coeficiente de Recombinação 3 -1 (cm xs ) 1,43 7,21x10 -10 0,73 2,39x10 -10 InAs 0,35 8,50x10 InSb 0,18 4,58x10 Si 1,12 1,79x10 0,67 5,25x10 2,26 5,37x10 GaAs GaSb Ge GaP UD8005 Direto Indireto A30808-X5226-D33-3-1918 -11 -11 -15 -14 -14 61/112  Os elétrons da banda de condução retornam à banda de valência por um…

Material Tipo de Recombinação Largura de Banda proibida Eg (eV) Coeficiente de Recombinação 3 -1 (cm xs ) 1,43 7,21x10 -10 0,73 2,39x10 -10 InAs 0,35 8,50x10 InSb 0,18 4,58x10 Si 1,12 1,79x10 0,67 5,25x10 2,26 5,37x10 GaAs GaSb Ge GaP UD8005 Direto Indireto A30808-X5226-D33-3-1918 -11 -11 -15 -14 -14 61/112  Os elétrons da banda de condução retornam à banda de valência por um…