Aplicações Dos Transistores

Bipolar Transistor) CONCEITO: O IGBT é um semicondutor de potência que alia as características de chaveamento dos transistores bipolares com a alta impedância dos MOSFETs apresentando baixa tensão de saturação e alta capacidade de corrente. O IGBT destaca-se por possuir alta eficiência e rápido chaveamento. Possui características de transistor MosFet na entrada e de transistor Bipolar na saída. ASPECTOS CONSTRUTIVOS: Sua estrutura é muito semelhante àquela apresentada por um transistor…

propagação médio, t pd (médio) de 9 ns. Uma porta TTL -STANDARD pode alimentar em torno de 10 entradas TTL -STANDARD. Os CI’s da série TTL 74-STANDARD oferecem uma combinação de velocidade e potência consumidas adequadas a um grande número de aplicações. Várias outras séries TTL foram desenvolvidas após o aparecimento da série STANDARD oferecendo uma ampla variedade de escolha de velocidade e potência consumida. Série TTL - L (Baixa Potência) Os circuitos desta série…

18 1. Objetivo De forma resumida, o principal objetivo deste trabalho é elaborar um circuito utilizando o transistor de efeito de campo (FET), afim de familiarizarmos com os estudos das características básicas deste transistor e iniciar a exploração de algumas de suas aplicações fundamentais, colocando, assim, em prática os conhecimentos obtidos em sala de aula. Para isso, abordamos a análise e projeto de um inversor de tensão…

Transistor Bipolar de Junção -BJT Rodrigo Nascimento Felipe Oliveira Diogo Alves Adonis Fagundes Felipe Godinho Introdução O transístor (ou transistor) de junção bipolar, TJB, (bipolar junction transistor, BJT, em inglês), é o tipo de transístor mais comum, devido sua facilidade de polarização e durabilidade. Recebe este nome porque o processo de condução é realizado por dois tipos de carga - positiva (lacunas) e negativa (elétrons). Definição do BJT Há dois tipos principais de…

Relatório de Eletrônica I TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO Araçatuba-SP 2012 SUMÁRIO SUMÁRIO 2 1 - INTRODUÇÃO 3 2 – OBJETIVOS 4 3 – MATERIAIS UTILIZADOS 4 4.1 – Levantamento de dados 5 5 – CONCLUSÃO 9 7 - BIBLIOGRAFIA 9 1 - INTRODUÇÃO O Transístor Bipolar de Junção, TJB (BJT), é um dispositivo Semicondutor, composto por três Regiões de Semicondutores dopados (Base, Colector e Emissor), separadas por duas Junções

eletrônicos é mais comum do que os PNP. O estudo dos transistores PNP é análogo ao NPN. 2. Objetivos O objetivo é proporcionar ao aluno conhecimentos sobre circuitos e componentes eletrônicos através de projetos e montagens práticas em laboratório. O projeto, a análise e a montagem de circuitos eletrônicos envolvendo dispositivos eletrônicos são focalizados para aplicações analógicas. A prática tem como…

Transistores de efeito de campo (FETs) O FET (abreviação de Field Effect Transistor) ou transistor de Efeito de Campo, que, como o próprio nome diz, funciona através do efeito de um campo elétrico na junção. Este tipo de transistor tem muitas aplicações na área de amplificadores (operando na área linear), em chaves (operando fora da área linear) ou em controle de corrente sobre uma carga. O transistor de efeito de campo, é um dispositivo de três terminais, utilizado em várias…

VIEIRA NACIF RAFAEL ANGELIN SILVA Relatório de experiência com transistores 5 1 INTRODUÇÃO O Transístor Bipolar de Junção, TJB (BJT), é um dispositivo Semicondutor, composto por três Regiões de Semicondutores dopados (Base, Colector e Emissor), separadas por duas Junções p-n. A Junção p-n entre a Base e o Emissor tem uma Tensão de Barreira (V 0) de 0,6 V, que é um parâmetro importante do TJB (BJT). Contrariamente ao Transístor de Efeito de Campo, TEC (FET), no qual a…

1- Aplicações CI 555 1.Oscilador de Áudio Básico Na figura 7 mostramos o circuito de um oscilador de áudio básico que excita um alto-falante ou transdutor. de áudio com dois tipos de saída. A freqüência pode ser ajustada numa faixa de 1:10 no potenciômetro e está basicamente determinada pelo valor do capacitor usado. Para a excitação de um pequeno transdutor piezoelétrico de alta impedância ou uma cápsula de fone, pode-se usar diretamente a saída do pino 3. No entanto, para uma

Transistores Introdução Em 1947, John Bardeen e Walter Brattain, sob a supervisão de William Shockley no AT&T Bell Labs, demonstraram que uma corrente fluindo no sentido de polaridade direta sobre uma junção semicondutora PN poderia controlar a corrente de polaridade reversa sobre um terceiro eletrodo montado muito próximo ao primeiro contato. Este dispositivo de controle de corrente recebeu o nome de transistor como uma forma contraída das palavras “resistor de transferência” (do…