Trabalho de Memórias

UNIVERSIDADE Tecnológica FEDERAL do Paraná
CAMPUS cornélio procópio
Curso em Engenharia elétrica

felipe marinho

TRABALHO NO. 1
SISTEMAS MICROCONTROLADOS: MEMÓRIAS

cornélio procópio
2014

Etapa 1

1 - Descrição de Funcionamento

O componente 6264 corresponde a uma memória estática RAM processado através de tecnologia CMOS, com 65536-bit de baixa potência, organizado em 8192 x 8 bits de acesso randômico e com três estados de saídas. Sua corrente de Standby é estável desde que esteja dentro de sua temperatura de operação. Existem algumas empresas as quais produzem esse componente, porém com diferenças mínimas, as funções são basicamente as mesmas, sendo: Read – Standby, Write – Data Retention. No presente trabalho irão ser mostrados dois exemplos, 1 e 2, ambos com o mesmo nome e do mesmo fabricante, Alliance Memory, Inc. 8K x 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM AS6C6264A, sendo o primeiro de março de 2009 e o segundo de fevereiro de 2007, com o intuito de ilustrar as pequenas diferenças encontradas em cada dispositivo.
Com base na pinagem do SRAM 6264 conforme a Figura 1, o circuito é ativado por CE2 (CE1 = L), ou por CE1 (CE2 = H). As entradas de endereço e controle abrem ao mesmo tempo. Segundo as informações de R/W e OE, a entrada ou saída de dados, são ativas. Em um ciclo de leitura, primeiro as saídas de dados são ativadas por OE, em seguida, a palavra de dados lida estará disponível em I/O0 – I/O7. Após a mudança de endereço, a saída de dados vai para o estado High-Z até que uma nova leitura seja disponibilizada. Não há preferência de estado para as saídas de dados. Quando não há mudança do endereço e a memória está no estado ativo, a corrente de operação cai para o referente valor no modo Standby.
O modo Data Retention é garantido em torno de 2 V. Com exceção de CE2, todas entradas consistem em portas NOR, logo não são requeridos resistores pull-up/pull-down.

1.1 - Tabela Verdade

Modo de