relatório projeto amplificadores

MINISTÉRIO DA EDUCAÇÃO UNIVERSIDADE TECNOLÓGICA FEDERAL DO PARANÁ CAMPUS DE CAMPO MOURÃO CURSO SUPERIOR DE ENGENHARIA ELETRÔNICA

Professor: Jackson Bonaldo

CAMPO MOURÃO - PR
Outubro de 2013 MINISTÉRIO DA EDUCAÇÃO UNIVERSIDADE TECNOLÓGICA FEDERAL DO PARANÁ CAMPUS DE CAMPO MOURÃO CURSO SUPERIOR DE ENGENHARIA ELETRÔNICA

Relatório apresentado ao Professor Jackson Bonaldo de Amplificadores do Curso de Bacharelado em Engenharia Eletrônica, como parte das exigências para avaliação da disciplina.

CAMPO MOURÃO - PR
Outubro de 2013
1. ESPECIFICAÇÕES DO PROJETO

O projeto teve que obedecer as seguintes especificações:
FL = 100Hz;
FH = 50KHz;
Vopp > 8V;
Pcarga > 0,5W;
Zin > 5KΩ;
Am = 104;
AF = 103;

2. PROJETO DO AMPLIFICADOR DE POTÊNCIA: CLASSE AB

Os componentes utilizados foram:
TIP31 (NPN) e TIP32 (PNP);
O β destes transistores é 50. VBEn = 1,8V.
Diodo 1N4148 (Queda de tensão 0,6V).
Adotando Vopp = 9V e uma carga RL = 8Ω, VCC = 20V obtêm-se a potência na carga pela seguinte fórmula:

Cálculo da corrente média entregue pela fonte (IDC):

Cálculo de R1:
Se Vopp = 9, logo Vop = 4,5V.
Para obter IBp é necessário ter ICp.

E R1 = R2, então R2 = 329,18Ω.

Cálculo de ICQ:

Impedância de entrada:

Impedância de saída:

Capacitor CL:

Capacitor CS:

Figura 1-Estágio de Potência

3. Segundo estágio de pré-amplificação (Emissor Comum)

Transistor:
2N2222
O β deste transistor é 50. VBEsat = 0,7V e VCEsat = 1V.

Adotando VE = 2V, RL = Zin do estágio de potência = 117,2Ω.

Cálculo de RC:

Cálculo de ICQ:

Cálculo do ganho:

Impedância de entrada:

Impedância de saída:

Cálculo do capacitor CE:

Cálculo do capacitor CL:

Cálculo do capacitor CS:

Resposta em alta frequência:
CBE = 521pF CBC = 3,25pF

4.