Relatório do Projeto de Porta AND

INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO, CIÊNCIA E TECNOLOGIA DA PARAÍBA
Lair Santos de Oliveira

Relatório do Projeto de Porta AND

João Pessoa
2014
Introdução O conceito de tecnologia CMOS foi proposto e demonstrado em 1963 por Wanlass [1]. A porta CMOS é feita com vários transistores em série, sendo nMOS e pMOs, e devido ao uso desses transistores complementares a tecnologia foi chamada de CMOS (MOS complementar). Sua principal característica é que ela não consome muita corrente (potencia) durante um estado estático [1]. Ela consome apenas quando passa de um estado para outro. As vantagens adicionais de CMOS são as seguintes, agrupadas em 3 grupos [1]:
Vantagens de desempenho de circuito e de dispositivo [1]:
A menor dissipação de potência resulta em menor temperatura de operação do CI, o que por sua vez se traduz em maior mobilidade de portadores e menores correntes de fuga de junções [1].
Circuitos CMOS apresentam boa densidade de integração, haja vista que as larguras dos 2 tipos de transistores tendem a ser cada vez mais próximas (em transistores submicrométricos, a corrente ID depende diretamente da velocidade de saturação dos portadores, sendo que esta é praticamente a mesma para elétrons e para lacunas, ao contrário das mobilidades) [1].
A área gasta em isolação entre transistores de polaridades opostas é considerável em CMOS, porém esta pode ser eficientemente ocupada por trilhas de interconexões na pastilha (“chip”), haja vista que as interconexões ocupam uma grande fração da área da mesma em CI’s modernos [1].
No passado CMOS tinha como desvantagem a alta capacitância de entrada (entrada ligada a 2 transistores em paralelo). Esta desvantagem tornou-se negligenciável, tendo em vista que atualmente (transistores submicrométricos) a capacitância predominante é a de interconexão [1].
Circuitos CMOS apresentam maior faixa de tensão de polarização, VDD, e de temperatura de operação permitida [1].
Portas