Mosfets =D

MOSFETs (tudo maiúsculo, menos o “s” que simboliza o plural)
O semicondutor FET de óxido metálico, ou MOSFET(Abreviação direta do inglês: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) tem uma parta, uma fonte e um dreno. Ao contrario do JFET, entretanto, a porta é isolada do canal. Por isso, a corrente da porta é extremamente pequena seja a porta positiva ou negativa.
O MOSFET do tipo depleção
É um MOSFET de canal n, uma barra condutora de materal n com uma região p à direita e uma porta isolada à esquerda. Os elétrons livres podem fluir da fonte para o dreno através do material n. A região p é chamada de substrato(ou corpo); ela reduz fisicamente o percurso condutor formando um canal estreito. Os elétrons que fluem da fonte para o dreno têm que passar através desse canal estreito
É depositada uma camada fina de dióxido de Silício (SiO2) do lado esquerdo do canal. Dióxido de silício é o mesmo que vidro, que é um isolante. Num MOSFET a porta é metálica. Pelo fato da porta ser isolada do canal, flui uma corrente da porta desprezível, mesmo quando a tensão da porta é positiva. O diodo pn que existe num JFET foi eliminado no MOSFET.
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Polarização do MOSFET do tipo depleção
Pelo fato dos MOSFETs do tipo depleção poderem operar no modo de depleção, todos os métodos de polarização discutidos para os JFETs podem ser usados. Eles incluem a polarização da porta, autopolarização, polarização por divisor de tensão e polarização por fonte de corrente. Além desses métodos de polarização, vocÊ tem outra opção com os MOSFETs do tipo de depleção.
Como um MOSFET do tipo depleção pode operar tanto no modo de depleção quanto no modo de intensificação, podemos ficar o seu ponto Q em VGS = 0, como mostra a figura (a). Então, um sinal Ca de entrada na porta pode produzir variações acima e abaixo do ponto Q. A possibilidade de se usar VGS zero constitui uma vantagem quando se tiver que fazer a polarização. Ele permite o uso de um