Transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (mosfet)

Trabalho de Eletrônica de Potência

Transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFET)

Aplicação:

-Rádios para automóveis; -Aparelhos de áudio residenciais; -Módulos, computadores; -Caixas amplificadas; -Entre outros aparelhos eletrônicos.

É o transistor mais comum emtre os transistores de efeito de campo em circuitos analógicos e digitais.É utilizado em conversores de baixa potência e alta frequência.

Composição:

Um MOSFET é composto de um canal de material semicondutor (que geralmente é o silício, mas alguns fabricantes começaram a usar uma mistura de silício e germânio). O terminal de comporta é uma camada de polisilício (sílicio policristalino) colocada sobre o canal, mas separada deste por uma fina camada de dióxido de silício isolante. Um MOSFET é composto de um canal de material semicondutor de tipo N ou de tipo P e é chamado respectivamente de NMOSFET ou PMOSFET.

Alerta: a camada de óxido que isola a comporta do substrato é extremamente fina e pode ser rompida por descargas estática. O simples toque dos dedos no terminal de um componente deste tipo pode provocar uma descarga estática que fura esta canmada e danifica o componente.

Características:

Existem MOSFETs em que pode-se integrar duas comportas, ou seja, pode-se controlar a corrente entre o dreno e a fonte a partir de dois sinais diferentes. Os MOSFETs comuns são dispositivos de baixa potência, sendo necessário que o montador tenha diagramas ou folhas de dados do fabricante para conhecer melhor um tipo com que esteja trabalhando.

MOSFET com uma porta

Um MOSFET é identificado por um código de fábrica. Através dele pode-se chegar as folhas de especificações ou dados obtidos pela Internet e, com isso, saber como ele se comporta numa aplicação. As principais características que devemos observar neste tipo de componente são:

Máxima tensão entre dreno e fonte (Vds)

É