Engenharia Elétrica

MOSFET

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MOSFET tipo depleção (MOSFET-D)
Curvas do MOSFET-D
Amplificadores com MOSFET-D
MOSFET tipo intensificação (MOSFET-E)
Curvas de Dreno
Tensão Porta-Fonte máxima

Fábio Makihara – 710921
Gustavo de Carvalho Bertoli – 610992
Luís Gustavo Fazzio Barbin – 712418
Luiza Pio Costa da Silva – 712001
Maurício Ayres de Araujo – 712396

Sumário
Introdução...................................................................................................3
MOSFET tipo Depleção..............................................................................4
Amplificadores com MOSFET no Modo de Depleção...............................5
MOSFET tipo Intensificação.......................................................................6
Importância da tensão Porta-Fonte..............................................................6
Curvas de dreno MOSFET tipo Intensificação...........................................7
Bibliografia..................................................................................................8

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Introdução
O transistor MOSFET (acrônimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor) ou transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico.
A palavra "metal" no nome é um anacronismo vindo dos primeiros chips, onde as comportas (gates) eram de metal. Os chips modernos usam comportas de polisilício, mas ainda são chamados de MOSFETs. Um MOSFET é composto de um canal de material semicondutor de tipo N ou de tipo P e é chamado respectivamente de
NMOSFET ou PMOSFET. Geralmente o semicondutor escolhido é o silício, mas alguns fabricantes, principalmente a IBM, começaram a usar uma mistura de silício e germânio (SiGe) nos canais dos MOSFETs. Infelizmente muitos semicondutores com melhores propriedades elétricas do que o silício, tais como o arsenieto de gálio, não formam bons óxidos nas comportas e portanto não são adequados para os MOSFETs. O
IGFET é um termo relacionado que