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Resumo Capitulo 6.

1- Introdução
FET (Field Effect Transistor) é o Transistor de Efeito de Campo, que, como o próprio nome diz, funciona através do efeito de um campo elétrico na junção. Este tipo de transistor tem muitas aplicações na área de amplificadores (operando na área linear), em chaves (operando fora da área linear) ou em controle de corrente sobre uma carga. Os FETs têm como principal característica uma elevada impedância de entrada o que permite seu uso como adaptador de impedâncias podendo substituir transformadores em determinadas situações, além disso são usados para amplificar frequências altas com ganho superior ao dos transistores bipolares. Eles podem ser compostos por germânio ou silício combinados à pequenas quantidades de fósforo e boro, que são substâncias ´´dopantes`` (isto é, que alteram as características elétricas). Os transistores de silício são os mais utilizados atualmente, sendo que transistores de germânio são usados somente para o controle de grandes potências.
Para o transistor de efeito de campo, a relação entre os parâmetros de entrada e saída é não-linear devido ao termo quadrático na equação de Shockley. A relação não-linear entre ID e VGs pode complicar o raciocínio matemático necessário à análise cc de configurações com FET. Um método gráfico pode limitar bastante a precisão, mas é o método mais rápido para a maioria dos amplificadores a FET. As relações gerais que podem ser aplicadas à análise cc dos amplificadores a FET são: e Para o JFET e o MOSFET tipo depleção, a equação de Shockley relaciona as variáveis de entrada e saída:

Para os MOSFET tipo intensificação, a seguinte equação é aplicável:

2- Configuração com polarização fixa
O mais simples dos arranjos de polarização para FET é definido pela sua configuração de polarização fixa, porem é o menos, eficiente devido o fato de que o ponto quiescente (ponto de operação) variar em função de IDss e Vp , que por sua vez variam com temperatura.