Diodo semi condutor

PONTIFÍCIA UNIVERSIDADE CATÓLICA DE GOIÁS
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA
CURSO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
ENG1550- ELETRÔNICA GERAL
PROFESSOR: FELIPE
TURMA:C01-2

EXPERIMENTO Nº 2: O Diodo Semicondutor

Aluno: Kassius Diego R. Silva Lima Numero Matricula: 201210380145

Goiânia, 16 de Março de 2013

Kassius Diego R. Silva Lima

EXPERIMENTO Nº 2: Diodo Semicondutor

Relatório técnico apresentado como requisito parcial para obtenção de aprovação na disciplina Eletrônica Geral, no curso de Engenharia Elétrica, na Pontifícia Universidade Católica de Goiás.

Goiânia, 09 de Março de 2013 1. INTRODUÇÃO

Neste relatório, estaremos apresentando os resultados obtidos do experimento 2 do curso de ENG- 1550 Eletrônica Geral. Primeiramente iremos ver os conceitos básicos sobre Diodo Semicondutor, para que possamos enteder melho o comportamento da Conrrente ( I ) em função da Tensão ( V ), analisando o gráfico iremos entender melhor esse comportamento.
Conforme o próprio nome, é uma simples junção de um semicondutor tipo P com outro tipo N. A Figura 01 (a) dá uma idéia do arranjo e, em (b), o conhecido símbolo. | Figura 01 | No semicondutor tipo P, os portadores de carga elétrica são positivos (buracos) e, no tipo N, são negativos (elétrons). Se nenhum potencial elétrico externo é aplicado, ocorre um natural rearranjo de cargas nas proximidades da junção. Os portadores negativos do semicondutor N tendem a se difundirem no semicondutor P, atraídos pelos seus portadores positivos. E vice-versa. Esses portadores opostos se combinam e formam, em ambos os lados da junção, uma região com redução (depleção) de portadores livres. Mas o processo de difusão não continua indefinidamente. O desequilíbrio elétrico cria um campo elétrico E, que se opõe ao movimento de cargas e o processo se estabiliza, deixando uma "barreira de potencial" na junção. Se um potencial elétrico externo é aplicado na junção conforme Figura 02, a