câmera frias

CENTRO DE ENSINO MÉDIO EPROFISSIONALIZANI DO MARANHÃO
CURSO : ELETROMECÂNICACA
DISCIPLINA:
ALUNO: Antonio Mendoça
PROF: CAROLINA O processo de dopagem do material tipo N e P O conceito de semicondutor intrínseco está relacionado ao cristal que, não - intencionalmente, possui não MAIS de um átomo de elemento químico estranho para cada um bilhão de átomos do material escolhido. O teor de impureza, neste caso, é chamado 1ppb, ou uma PARTE por bilhão. A interferência da impureza não é suficiente par interferir na estabilidade do material, sendo o cristal, portanto, estável.Por outro lado, o semicondutor dopado possui, intencionalmente, CERCA de um átomo de elemento químico desejado (ao contrário do estranho) para cada um milhão de átomos do material escolhido. O teor da impureza é, no semicondutor dopado, 1ppm, ou uma parte por milhão. Três elementos comuns na dopagem eletrônica são o carbono, o silício e o germânio. Todos possuem quatro elétrons na camada de valência, o que possibilita que formem cristais já que compartilham seus elétrons com os átomos vizinhos, formando estruturas reticuladas ou cristalinas.
Existem dois tipos de impurezas usadas: N: ocorre com a adição de fósforo ou arsênico ao silício. Tanto o arsênico quanto o fósforo possuem cinco elétrons na camada de valência. Ocorrem ligações covalentes entre quatro elétrons e um deles fica livre, ou seja, é o chamado elétron livre, que ganha movimento e gera corrente elétrica. O nome N provém da negatividade gerada da carga negativa existente. P: nesta dopagem, há adição de boro ou gálio ao silício. Ambos possuem três elétrons na camada de valência. Quando são adicionados ao silício criam lacunas, que conduzem corrente e a ausência de um elétron cria uma carga positiva (por isso o nome P). O nome semicondutor se justifica, uma vez que uma pequena quantidade de dopagem N ou P conduzem de forma